| 1 |
1
알루미늄-스칸듐 모합금의 전해를 위한 전해조에 포함되는 양극에 있어서,상기 양극의 표면에는 요철부가 형성되는 전해용 양극
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 요철부는 다수의 골과 마루를 포함하는 전해용 양극
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 골과 마루는 양극의 종방향 또는 횡방향으로 형성된 전해용 양극
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 골과 마루는 나사산을 형성하는 전해용 양극
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 골과 마루는 곡선형, 직선형 또는 이들 형상을 함께 포함하여 이루어진 전해용 양극
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 요철부는 양극의 표면에 돌출되게 형성된 다수의 돌기를 포함하는 전해용 양극
|
| 7 |
7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 전해용 양극을 포함하는 전해조
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 전해조는,전해질로 채워진 전해조 본체; 및상기 전해조의 바닥에 배치된 알루미늄 음극을 더 포함하는 전해조
|
| 9 |
9
제7에 있어서,상기 전해질은 불화물, 염화물 또는 이들의 혼합물인 전해조
|
| 10 |
10
제7항의 전해조에 산화 스칸듐 및 전해질을 공급하는 단계;상기 전해조를 가열하는 단계; 및 상기 전해조에 전류를 인가하여 전해 공정을 실시하는 단계를 포함하는 전해 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 가열은 온도가 1000 내지 1100℃인 전해 방법
|
