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보론(B) 및 탄탈(Ta)이 도핑된 가넷(Garnet) 구조의 산화물을 포함하고, 상기 보론(B)에 대한 상기 탄탈(Ta)의 몰 비율은, 0
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제1항에 있어서,상기 가넷(Garnet) 구조의 산화물은 알루미늄(Al)이 더 도핑된 것인,고체 전해질
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제3항에 있어서,상기 보론(B)에 대한 상기 알루미늄(Al)의 몰 비율은,0
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제1항에 있어서,상기 화학식 1에서, M1은 Al인,고체 전해질
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제1항에 있어서,상기 화학식 1에서, 0 ≤ x ≤ 0
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제1항에 있어서,상기 고체 전해질의 결정 구조는,입방정계(Cubic) 구조인 것인,고체 전해질
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리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계; 상기 혼합 분말을 분쇄하는 단계; 및 상기 분쇄된 혼합 분말을 소성(calcination)하여, 분말 상태의 고체 전해질을 수득하는 단계를 포함하고,상기 수득되는 고체 전해질은, 보론(B) 및 탄탈(Ta)이 도핑된 가넷(Garnet) 구조의 산화물을 포함하며, 하기 화학식 1로 표시되는 고체 전해질이고, 상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질의 혼합 분말을 제조하는 단계는, 상기 수득되는 고체 전해질 내 리튬, 란타늄, 지르코늄, 및 탄탈의 몰 함량과 일치하는 몰 비율로 상기 각 원료 물질을 투입하고, 1차 혼합하는 단계를 포함하는 것이고, 상기 분쇄된 혼합 분말을 소성(calcination)하여, 분말 상태의 고체 전해질을 수득하는 단계; 이후에,상기 수득된 고체 전해질을 펠렛(pellet)으로 형성하는 단계; 및상기 형성된 펠렛을 소결(sintering)하는 단계를 더 포함하는 것이고,상기 형성된 펠렛을 소결(sintering)하는 단계는 850 내지 950 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것이고, 상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계에서,상기 혼합 분말 내 보론에 대한 탄탈의 몰 비율이 0
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제11항에 있어서,상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계에서,상기 혼합 분말은,알루미늄 원료 물질, 나트륨 원료 물질, 칼륨 원료 물질, 루비듐 원료 물질, 세슘 원료 물질, 프랑슘 원료 물질, 마그네슘 원료 물질, 칼슘 원료 물질, 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것인,고체 전해질의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계에서,상기 혼합 분말은,알루미늄 원료 물질을 더 포함하는 것인,고체 전해질의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계에서,상기 혼합 분말 내 보론에 대한 알루미늄의 몰 비율이 0
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제11항에 있어서,상기 리튬 원료 물질, 란타늄 원료 물질, 지르코늄 원료 물질, 탄탈 원료 물질, 및 보론 원료 물질을 포함하는 혼합 분말을 제조하는 단계는,상기 수득되는 고체 전해질 내 리튬, 란타늄, 지르코늄, 및 탄탈의 몰 함량과 일치하는 몰 비율로 상기 각 원료 물질을 투입하고, 1차 혼합하는 단계; 이후에,상기 1차 혼합된 물질에 리튬 원료 물질을 추가로 투입하고, 2차 혼합하는 단계;를 더 포함하는 것인,고체 전해질의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 1차 혼합된 물질에 리튬 원료 물질을 추가로 투입하고, 2차 혼합하는 단계;에서,상기 추가로 투입되는 리튬 원료 물질의 양은,상기 1차 혼합된 물질 내 리튬 원료 물질 대비 3 내지 5 몰%인 것인,고체 전해질의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 형성된 펠렛을 소결하는(sintering) 단계는,7 내지 20 시간 동안 수행되는 것인,고체 전해질의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 혼합 분말을 분쇄하는 단계는,볼밀(ball mill), 몰탈(mortar), 분급기(sieve), 어트리션 밀(attrition mill), 디스크 밀(disk mill), 제트 밀(jet mill), 죠크러셔(jaw crusher), 해쇄기(crusher), 또는 이들의 조합인 방법에 의해 수행되는 것인,고체 전해질의 제조방법
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양극;음극; 및고체 전해질을 포함하고,상기 고체 전해질은, 보론(B) 및 탄탈(Ta)이 도핑된 가넷(Garnet) 구조의 산화물을 포함하고, 상기 보론(B)에 대한 상기 탄탈(Ta)의 몰 비율은, 0
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