| 1 |
1
제 1 기판 상에 2차원 결정 구조를 갖는 전도성 물질을 포함하는 제 1 전극을 형성하는 것;상기 제 1 전극을 표면 처리하는 것;상기 제 1 전극 상에 표시 소자층을 형성하는 것; 및상기 표시 소자층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 제 1 전극의 표면 처리는:상기 제 1 기판과 상기 제 1 전극 사이의 간극에 유체를 공급하는 것; 및상기 간극 내의 상기 유체를 증발시켜 상기 제 1 기판과 상기 제 1 전극을 합착시키는 것을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판과 상기 제 1 전극을 합착시키는 것은:상기 제 1 전극을 상기 제 1 기판으로 밀착시키는 것; 및상기 제 1 전극 및 상기 제 1 기판 사이의 상기 간극이 제거되는 것을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극을 상기 제 1 기판으로 밀착시키는 것은:상기 유체를 상기 간극으로부터 증발시켜 상기 간극 내부의 기압을 감소시키는 것; 및상기 간극 내부의 기압 감소에 의해 상기 제 1 전극이 상기 제 1 기판을 향하여 밀착되는 것을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 간극 내의 상기 유체를 증발시키는 공정은 진공 분위기 하에서 수행되는 열처리 공정을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 그래핀(Graphene), 이황화몰리브데넘(MoS2) 또는 황화텅스텐(WS2)을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극을은 스탬프 방식 또는 TRT(thermal release tape) 방식을 통해 상기 제 1 기판 상에 전사되어 형성되는 광원 장치의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 간극에 상기 유체를 공급하는 것은 딥 코팅(dip coating) 공정, 스프레이(spray) 공정 또는 미스트(mist) 공정을 통해 수행되는 광원 장치의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 표시 소자층을 형성하기 전에,상기 제 1 전극을 패터닝 하는 공정, 또는 상기 제 1 전극을 세정하는 공정을 더 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 표시 소자층은 유기발광 물질, 액정 물질, 전기영동 물질 또는 전기변색 물질을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 투명 전도 산화물, 금속 박막 또는 전도성 고분자 물질을 포함하는 광원 장치의 제조 방법
|
