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단일벽탄소나노튜브 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 자외선 발광다이오드(SWCNT and manufacturing method of thereof, and UV-light emitting diode using SWCNT)

  • 기술번호 : KST2017014100
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일벽탄소나노튜브 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 자외선 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며 광투과도의 감소가 적은 단일벽탄소나노튜브 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 자외선 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 단일벽탄소나노튜브 특히, 자외선 발광다이오드의 투명전극용 단일벽탄소나노튜브의 제조방법에 의하면, P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며 광투과도의 감소가 적은 자외선 발광다이오드의 투명전극용 단일벽탄소나노튜브를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 자외선 발광다이오드는 P형 질화물계 반도체와 오믹(ohmic)접촉이 가능하며, 광투과도의 감소가 적어 높은 효율의 증대를 이룰 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2016.03.24) H01L 33/40 (2016.03.24) H01L 33/44 (2016.03.24) C23C 18/34 (2016.03.24) C23C 18/16 (2016.03.24)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020160021269 (2016.02.23)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0099196 (2017.08.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하준석 대한민국 서울특별시 강남구
2 박형조 대한민국 경기도 과천시 별양로 **,
3 박준범 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교 산학협력단 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0177915-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0519581-69
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0933531-40
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0933290-31
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0832357-57
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1300450-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1300499-20
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0047008-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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물을 용매로 분산시킨 단일벽탄소나노튜브(SWCNT) 분산용액에 활성화제인 (SnCl2+PdCl2)/HCl 용액을 혼합하고, 교반하여 상기 단일벽탄소나노튜브의 표면을 활성화시키는 활성화단계;니켈도금용액과 붕소계열의 니켈 환원제를 혼합하여 제조한 무전해도금용액에 활성화된 상기 단일벽탄소나노튜브를 첨가하여 상온에서 중성범위의 pH 상태(6
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제 1 항에 있어서,상기 붕소계열의 니켈 환원제는 붕소-디메틸아민((CH3)2NHBH3)인 것을 특징으로 하는 단일벽탄소나노튜브의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 무전해도금용액은 DI워터에 NiSO4와 상기 붕소계열의 니켈환원제를 10:1의 부피비로 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 단일벽탄소나노튜브의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 단일벽탄소나노튜브 분산용액과 상기 활성화제는 3;1의 부피비(vol%)로 혼합하는 것을 특징으로 하는 단일벽탄소나노튜브의 제조방법
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제 4 항, 제 5 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,박막화된 상기 단일벽탄소나노튜브를 건조시키는 단계; 및건조된 상기 단일벽탄소나노튜브를 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽탄소나노튜브의 제조방법
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12 12
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13 13
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14 14
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.