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선택적 도금방법(METHOD OF SELECTIVE PLATING)

  • 기술번호 : KST2017014116
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 산화층을 형성하고, 상기 산화층 위에 제1포토레지스트를 패터닝하는 단계; 상기 제1포토레지스트가 패터닝되지 않은 비 패턴 영역을 통해 노출되는 산화층을 식각하여 상기 실리콘 웨이퍼를 노출시키는 단계; 상기 비 패턴 영역으로 노출된 실리콘 웨이퍼를 식각하여 오목한 부분과 볼록한 부분을 교번적으로 갖는 트렌치 구조를 형성하고, 상기 제1포토레지스트와 상기 산화층을 제거하는 단계; 상기 트렌치 구조의 실리콘 웨이퍼에 절연층과 시드층을 순차적으로 형성하고, 상기 트렌치 구조의 볼록한 부분에 제2포토레지스트를 패터닝하는 단계; 및 상기 트렌치 구조의 오목한 부분에 도금층을 형성하고, 상기 제2포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/288 (2016.03.31) H01L 21/027 (2016.03.31) G03F 7/20 (2016.03.31) H01L 21/3213 (2016.03.31) H01L 21/324 (2016.03.31) C25D 7/12 (2016.03.31)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020160021465 (2016.02.23)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0099285 (2017.08.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재윤 대한민국 대구광역시 중구
2 정동건 대한민국 대구광역시 달서구
3 공성호 대한민국 경상북도 영천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0178923-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0053143-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0262330-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0558018-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0558020-80
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0751778-32
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1193767-84
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1193762-56
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0008786-15
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0199013-75
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번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼에 산화층을 형성하고, 상기 산화층 위에 제1포토레지스트를 패터닝하는 단계;상기 제1포토레지스트가 패터닝되지 않은 비 패턴 영역을 통해 노출되는 산화층을 식각하여 상기 실리콘 웨이퍼를 노출시키는 단계;상기 비 패턴 영역으로 노출된 실리콘 웨이퍼를 식각하여 오목한 부분과 볼록한 부분을 교번적으로 갖는 트렌치 구조를 형성하고, 상기 제1포토레지스트와 상기 산화층을 제거하는 단계;상기 트렌치 구조의 실리콘 웨이퍼에 절연층과 시드층을 순차적으로 형성하고, 상기 트렌치 구조의 볼록한 부분에 제2포토레지스트를 패터닝하는 단계; 및상기 트렌치 구조의 오목한 부분에 도금층을 형성하고, 상기 제2포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 선택적 도금방법
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제1항에 있어서,상기 트렌치 구조는 상기 실리콘 웨이퍼를 심도 반응성 이온 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 도금방법
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제1항에 있어서,상기 제2포토레지스트의 두께는 0 초과 2㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 선택적 도금방법
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제1항에 있어서,상기 제1포토레지스트 또는 상기 제2포토레지스트를 패터닝하는 단계는,포토레지스트를 코팅하는 단계;소프트 베이크 열처리하는 단계;상기 포토레지스트를 노광 처리하는 단계;상기 포토레지스트를 현상 처리하여 패턴 영역을 제외한 비 패턴 영역을 제거하는 단계; 및하드 베이크 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 도금 방법
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제4항에 있어서,상기 제2포토레지스트를 패터닝하는 단계는,상기 노광 처리와 상기 현상 처리를 번갈아가며 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 선택적 도금방법
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제1항에 있어서,상기 도금층은 10~12시간 동안 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.