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비선형 스위치 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자(Non-linear switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same)

  • 기술번호 : KST2017014128
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비선형 스위치 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고 적어도 일부에 결정화된 칼코게나이드 재료를 포함하는 칼코게나이드계 박막을 포함하는 비선형 스위치 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.03.26) H01L 43/08 (2016.03.26) G11C 13/00 (2016.03.26) G11C 11/16 (2016.03.26)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020160021207 (2016.02.23)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0099173 (2017.08.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.23)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김태호 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김영재 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0177507-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0091317-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0434457-90
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0802823-38
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0924366-02
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1046674-22
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1156967-07
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0168312-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1271544-17
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1271526-06
12 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0271255-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고 적어도 일부에 결정화된 칼코게나이드 재료를 포함하는 칼코게나이드계 박막을 포함하며,상기 결정화된 칼코게나이드 재료 내의 나노 결정들이, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 비선형 셋 동작과 리셋 동작이 가능한 전도 패스를 제공하도록 정렬되는 비선형 스위칭 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드 재료는, Te, Se 또는 이의 혼합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은, As-Te, Ge-Te, As-Te-Ge, As-Se, Ge-Se, 또는 As-Se-Ge 화합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 결정화된 칼코게나이드 재료는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이를 연결하도록 정렬되는 비선형 스위칭 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은 하기 화학식 1에 따른 조성비를 갖는 화합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자;[화학식 1]AsxTey (0 003c# x ≤1, 0 003c# y/x ≤ 4 )
6 6
제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은 하기 화학식 2에 따른 조성비를 갖는 화합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자;[화학식 2]AsxTeyGez(0 003c# x, y 003c# 1 이고, z = 1-x-y)
7 7
제 1 전극을 형성하는 제 1 단계; 상기 제 1 전극 상에 칼코게나이드계 박막을 형성하는 제 2 단계; 및상기 칼코게나이드계 박막 상에 제 2 전극을 형성하는 제 3 단계를 포함하는 비선형 스위치 소자의 제조 방법으로서, 상기 제 2 단계 이후 상기 제 3 단계 이전에, 상기 칼코게나이드계 박막을 열처리하여 상기 칼코게나이드계 박막의 적어도 일부에 결정화된 칼코게나이드 재료를 형성하는 단계를 포함하거나, 상기 3 단계 이후에, 상기 칼코게나이드계 박막을 열처리하여 상기 칼코게나이드계 박막의 적어도 일부에 결정화된 칼코게나이드 재료를 형성하는 단계를 포함하며,상기 열처리에 의해 결정화된 칼코게나이드 재료 내의 나노 결정들이, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 비선형 셋 동작과 리셋 동작이 가능한 전도 패스를 제공하도록 정렬되는 비선형 스위치 소자의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 결정화된 칼코게나이드 재료를 형성하는 단계는 상기 칼코게나이드계 박막을 비활성 분위기에서 180 ℃ 내지 400 ℃의 범위 내에서 열처리하는 비선형 스위치 소자의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 칼코게나이드 재료는, Te, Se 및 또는 이의 혼합물을 포함하는 비선형 스위치 소자의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은 As-Te, Ge-Te, As-Te-Ge, As-Se, Ge-Se, 또는 As-Se-Ge 을 포함하는 비선형 스위칭 소자의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 결정화된 칼코게나이드 재료를 형성하는 단계는, 상기 칼코게나이드 재료가 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이를 연결하도록 정렬시키는 비선형 스위칭 소자의 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은 하기 화학식 1에 따른 조성비를 갖는 화합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자의 제조 방법;[화학식 1]AsxTey (0 003c# x ≤1, 0 003c# y/x ≤ 4 )
13 13
제 7 항에 있어서,상기 칼코게나이드계 박막은 하기 화학식 2에 따른 조성비를 갖는 화합물을 포함하는 비선형 스위칭 소자의 제조 방법;[화학식 2]AsxTeyGez(0 003c# x, y 003c# 1 이고, z = 1-x-y)
14 14
제 1 항 기재의 비선형 스위칭 소자; 및상기 비선형 스위칭 소자에 전기적으로 직렬 연결된 상변화 메모리, 자기메모리, 또는 저항변화 메모리를 구현하기 위한 정보 저장 부재를 포함하고,상기 정보 저장 부재는, 상변화 재료, 가변 저항성 재료, 프로그램 가능한 금속화셀 재료, 자성체 재료 또는 이들의 조합을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 정보 저장 부재는 단일층 또는 복수의 적층 구조체로 형성되는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.