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기판;상기 기판 상의 제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 발광층;상기 발광층 상의 제 2 전극; 및상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나의 일면 상에 배치되고, 전도성 입자들을 포함하는 보상 전극을 포함하되,상기 기판 상의 제 1 영역에 배치되는 상기 보상 전극의 일부는 상기 기판 상의 제 2 영역에 배치되는 상기 보상 전극의 다른 일부와 서로 다른 면저항을 갖는 광원 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역보다 상기 기판의 센터부와 인접하여 배치되고,상기 제 1 영역에서 상기 전도성 입자들의 밀집도는 상기 제 2 영역에서 상기 전도성 입자들의 밀집도(concentration)보다 큰 광원 장치
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제 2 항에 있어서,상기 보상 전극의 면저항은 상기 제 1 영역에서 상기 제 2 영역으로 갈수록 연속적으로 증가하는 광원 장치
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 입자들의 비저항은 상기 제 1 전극의 비저항 및 상기 제 2 전극의 비저항보다 낮은 광원 장치
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 입자들은 나노 튜브, 나노 로드, 나노 와이어 또는 전도성 탄소구조체를 포함하는 광원 장치
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기판을 제공하는 것;상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 것;상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 것;상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 것; 및상기 기판, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나의 일면 상에 전도성 입자들을 제공하여 보상 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 전도성 입자들은 상기 보상 전극 내에 서로 다른 밀집도(concentration)로 분포되는 광원 장치의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전도성 입자들의 밀집도는 상기 광원 장치의 외측으로 갈수록 작아지는 광원 장치의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전도성 입자들을 제공하는 것은,스프레이 공정 또는 전기 방사법(electrospinning)에 의해 수행되는 광원 장치의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 보상 전극은 상기 기판 상에 형성되되,상기 기판 상에 상기 제 1 전극을 적층하기 전에, 상기 기판 상에 표면 처리를 수행하는 것을 더 포함하는 광원 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 표면 처리는 자외선 오존 처리, 산소 플라즈마 처리 또는 자기조립 단분자막 처리를 포함하는 광원 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 표면 처리에 의해,상기 기판은 평면적 위치에 따라 서로 다른 상기 보상 전극과의 접착력을 갖는 광원 장치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 표면 처리는,상기 기판의 표면의 일부에 선택적으로 수행되는 광원 장치의 제조 방법
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기판;상기 기판 상의 제 1 전극;상기 제 1 전극 상의 발광층;상기 유기 발광층 상의 제 2 전극; 및상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나의 어느 일면 상에 배치되고, 상기 기판의 일면과 평행한 제 1 방향으로 연장되는 제 1 도전 패턴들을 갖는 보상 전극을 포함하되,상기 기판 상의 제 1 영역에 배치되는 상기 보상 전극의 일부는 상기 기판 상의 제 2 영역에 배치되는 상기 보상 전극의 다른 일부와 서로 다른 면저항을 갖는 광원 장치
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 도전 패턴들의 적어도 하나는 상기 제 1 도전 패턴들의 나머지와 다른 폭 또는 길이를 갖는 광원 장치
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 영역 상의 상기 제 1 도전 패턴들이 수평적으로 이격된 거리는,상기 제 2 영역 상의 상기 제 1 도전 패턴들이 수평적으로 이격된 거리와 다른 광원 장치
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제 13 항에 있어서,상기 보상 전극은 상기 제 1 방향과 교차하고 상기 기판의 상기 일면과 평행한 제 2 방향으로 연장되는 제 2 도전 패턴들을 더 포함하되,상기 제 2 도전 패턴들의 적어도 하나는 상기 제 2 도전 패턴들의 나머지와 다른 폭 또는 길이를 갖는 광원 장치
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