1 |
1
제1 기판 및 제2 기판을 제공하는 단계;제1 기판을 플라즈마 처리하는 단계;상기 제1 기판 상에 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 기판과 제2 기판을 상기 전극을 사이에 두고 열 압착하는 단계를 포함하고상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 불소계 고분자를 포함하는 전극체 제조 방법
|
2 |
2
제1 항에 있어서,상기 불소계 고분자는 PCTFE(polychlorotrifluoroethylene), PDD(perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxide), CTFE(chlorotrifluoroethylene), PBVE(perfluoro-3-butenyl-vinylether), PPVE(perfluoropropylvinylether), PTFE(polytetrafluoroethylene), PVDF(polyvinylidenefluoride), PVF(polyvinylfluoride), VDF(vynylidene fluoride), CytopTM(PBVE계 단일 고분자), 및, 이 중 적어도 2종을 포함하는 공중합체들 중 적어도 하나를 포함하는 전극체 제조 방법
|
3 |
3
제2 항에 있어서,상기 공중합체는 ECTFE(ethylene와 CTFE의 공중합체), ETFE(ethylene와 TFE의 공중합체), FEP(fluorinated ethylene와 propylene의 공중합체), HFP(hexafluoropropylene), PFA(TFE와 PPVE의 공중합체), TeflonTM AF(TFE와 PDD의 공중합체), TFE(tetrafluoroethylene), THV(poly(TFE-co-HFP-co-VDF)인 전극체 제조 방법
|
4 |
4
제1 항에 있어서,상기 제2 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 전극체 제조 방법
|
5 |
5
제4 항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 제2 기판은 서로 마주보는 면들이 플라즈마 처리되는 전극체 제조 방법
|
6 |
6
제1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계에 있어서, 상기 플라즈마 기체는 아르곤, 헬륨, 산소, 질소, 공기, 및 사불화탄소 중 적어도 어느 하나인 전극체 제조 방법
|
7 |
7
제6 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 RF 플라즈마, DC 플라즈마, 리모트 플라즈마, 마그네트론 플라즈마 중 어느 하나를 이용하여 수행되는 전극체 제조 방법
|
8 |
8
제1 항에 있어서,상기 열 압착 시의 온도는 상기 제1 및 제2 기판의 유리 전이 온도와 녹는점 사이인 전극체 제조 방법
|
9 |
9
제1 항에 있어서,상기 제2 기판의 일부를 패터닝하여 상기 전극의 상면의 일부를 노출하는 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 전극체 제조 방법
|
10 |
10
제9 항에 있어서,상기 제2 기판의 일부를 패터닝하는 단계는상기 제2 기판의 상면에 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층을 패터닝하여 일 영역을 제거하는 단계; 상기 보호층이 패터닝되어 제거된 부분에 대응하는 제2 기판을 식각하는 단계; 및상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 전극체 제조 방법
|
11 |
11
제10 항에 있어서,상기 관통홀에 컨택부를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 컨택부는 다공성 도전 물질로 이루어진 전극체 제조 방법
|
12 |
12
제11 항에 있어서,상기 컨택부는 전착 방법으로 형성되는 전극체 제조 방법
|
13 |
13
제1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계 이전에 상기 제1 기판을 열처리 하는 전극체 제조 방법
|
14 |
14
제1 항에 있어서,상기 전극은 금, 은, 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극체 제조 방법
|
15 |
15
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판은 가요성을 갖는 전극체 제조 방법
|
16 |
16
제1 기판;제1 기판의 상에 제공된 전극; 및상기 전극을 사이에 두고 상기 제1 기판과 열 압착된 제2 기판을 포함하고,상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 불소계 고분자를 포함하는 전극체
|
17 |
17
제16 항에 있어서,상기 불소계 고분자는 PCTFE(polychlorotrifluoroethylene), PDD(perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxide), CTFE(chlorotrifluoroethylene), PBVE(perfluoro-3-butenyl-vinylether), PPVE(perfluoropropylvinylether), PTFE(polytetrafluoroethylene), PVDF(polyvinylidenefluoride), PVF(polyvinylfluoride), VDF(vynylidene fluoride), CytopTM(PBVE계 단일 고분자), 및, 이 중 적어도 2종을 포함하는 공중합체들 중 적어도 하나를 포함하는 전극체
|
18 |
18
제17 항에 있어서,상기 공중합체는 ECTFE(ethylene와 CTFE의 공중합체), ETFE(ethylene와 TFE의 공중합체), FEP(fluorinated ethylene와 propylene의 공중합체), HFP(hexafluoropropylene), PFA(TFE와 PPVE의 공중합체), TeflonTM AF(TFE와 PDD의 공중합체), TFE(tetrafluoroethylene), THV(poly(TFE-co-HFP-co-VDF)인 전극체
|
19 |
19
제16 항에 있어서,상기 전극에 상에 제공되며 다공성을 갖는 컨택부를 더 포함하는 전극체
|
20 |
20
제19 항에 있어서,상기 제2 기판은 상기 전극의 상면 일부를 노출하는 관통홀을 가지며, 상기 컨택부는 상기 관통홀에 제공된 전극체
|