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기판 표면에 변성층을 형성하는 단계;상기 변성층 전체를 1차 표면 처리하여 상기 변성층을 변성시키는 단계;상기 1차 표면 처리된 상기 변성층의 일부 영역을 마스킹하는 단계;마스킹 처리된 상기 변성층을 2차 표면 처리하는 단계;상기 일부 영역의 마스크를 제거하는 단계;상기 변성층 상에 플랙시블 소자를 형성하는 단계; 및상기 기판을 플랙시블 소자로부터 제거하는 단계;를 포함하는, 플랙시블 소자 제조방법
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기판 표면에 변성층을 형성하는 단계;상기 변성층의 일부 영역을 마스킹하는 단계;상기 일부 마스킹 처리된 상기 변성층을 1차 표면 처리하여 변성시키는 단계;상기 일부 영역의 마스크를 제거하는 단계;상기 변성층 전체를 2차 표면 처리하여 변성시키는 단계;상기 변성층 상에 플랙시블 소자를 형성하는 단계; 및상기 기판을 플랙시블 소자로부터 제거하는 단계;를 포함하는, 플랙시블 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 변성층 상에 플랙시블 소자를 형성하는 단계는,상기 2차 표면 처리된 상기 변성층의 상측에 폴리머를 구비하는 단계;상기 구비된 폴리머 상측을 열처리하는 단계;열처리된 상기 폴리머 상측에 플렉시블 반도체 소자를 형성하는 단계; 및상기 일부 영역에 기반하여 상기 폴리머를 상기 변성층으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는, 플랙시블 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 변성층은, 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)으로 형성되는, 플랙시블 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 마스크는, 지정된 패턴으로 형성되는, 플랙시블 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 1차 표면 처리 및 상기 2차 표면 처리는, 상기 변성층 표면에서 표면 처리되는 영역의 균일도를 조절하는, 플랙시블 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 폴리머는, 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 에바포레이션(evaporation), 스프레이 코팅(Spray coating), 롤투롤 코팅 (Roll-to-Roll coating) 중 적어도 하나를 이용하여 구비되는, 플랙시블 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 열처리는, 350℃ 내지 450℃의 범위에서 수행되는, 플랙시블 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 폴리머 상측을 열처리하는 단계를 수행한 이후,퍼징(purging)하는 단계;를 더 포함하는, 플랙시블 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 1차 표면 처리 또는 상기 2차 표면 처리는,자외선(UV) 노광, 플라즈마(plasma) 처리 및 애싱(ashing) 중 적어도 하나를 이용하는, 플랙시블 소자 제조방법
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기판; 및상기 기판에 형성된 변성층;을 포함하되,상기 변성층에 2회 이상의 표면 처리가 이루어지며,상기 변성층은,모든 표면 처리가 이루어지는 영역과 일부 표면 처리만 이루어지는 영역으로 구분되고,상기 표면 처리를 통하여 상기 변성층에 친수성 또는 소수성의 변성이 나타나는 것을 특징으로하는, 플랙시블 소자 제조용 희생 기판
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제11항에 있어서,모든 표면 처리가 이루어지는 영역과 일부 표면 처리만 이루어지는 영역은,상기 변성층의 테두리 영역 및 그 외의 영역으로 구분되는, 플랙시블 소자 제조용 희생 기판
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제12항에 있어서,상기 일부 표면 처리만 이루어지는 영역은, 마스킹 된 후 2차 표면 처리되어 구분된, 플랙시블 소자 제조용 희생 기판
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제11항에 있어서,상기 변성층은, 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)으로 형성되는, 플랙시블 소자 제조용 희생 기판
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희생 기판 상에서 형성되고, 차후에 상기 희생 기판에서 분리되는 베이스층을 포함하되, 상기 베이스층의 형성 두께가 상기 베이스층의 주변부와 중앙부에 차이가 있는 것을 특징으로하는, 플랙시블 소자
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