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울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법, 상기 울트라커패시터용 전극활물질을 이용한 울트라커패시터 전극의 제조방법 및 울트라커패시터(Manufacturing method of electrode active material for ultracapacitor, manufacturing method of ultracapacitor electrode using the electrode active material and ultracapacitorusing the electrode active material)

  • 기술번호 : KST2017014399
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 다공성 탄소재에 질소(N) 및 불소(F)를 포함하는 이종원소가 도핑되어 있고, 상기 이종원소의 전체 함량은 상기 다공성 탄소재의 성분을 이루는 탄소(C) 100중량부에 대하여 0.1∼20 중량부를 이루며, 비표면적이 1,000∼3,300 m2/g인 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질, 그 제조방법, 상기 울트라커패시터용 전극활물질을 이용한 울트라커패시터 전극의 제조방법 및 울트라커패시터에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 전기전도도를 향상시켜 울트라커패시터용 전극에 사용할 경우에 전해액의 전하 전달을 용이하게 해줄 수 있고, 울트라커패시터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01G 11/32 (2016.04.05) H01G 11/36 (2016.04.05) H01G 11/86 (2016.04.05) H01G 13/04 (2016.04.05) H01G 9/04 (2016.04.05)
CPC H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01) H01G 11/32(2013.01)
출원번호/일자 1020160023870 (2016.02.29)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0101409 (2017.09.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광철 대한민국 경남 진주시 초장로**번길 **,
2 한조아 대한민국 서울특별시 성북구
3 김목화 대한민국 경상남도 진주
4 채지수 대한민국 전라남도 순천시 장선배기길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0194379-82
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0286711-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0909131-95
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0153926-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0258883-06
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0359244-32
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0455983-84
8 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2017.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0066493-93
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0565865-07
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0565877-44
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0735417-01
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번호 청구항
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4 4
질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 소스 물질을 용매에 용해시키는 단계;질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 상기 소스 물질이 용해된 용액에 다공성 탄소재를 함침하는 단계; 상기 용액에 함침된 다공성 탄소재를 건조하는 단계;건조된 결과물에 마이크로웨이브를 조사하는 단계; 및마이크로웨이브가 조사된 결과물을 비활성 가스 분위기에서 열처리하여 질소(N) 및 불소(F)를 포함하는 이종원소가 도핑되어 있는 울트라커패시터용 전극활물질을 수득하는 단계를 포함하며,질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 상기 소스 물질은 암모늄플루오로보레이트(aAmmonium fluoroborate, NH4BF4), 테트라플루오로하이드라진(tetrafluorohydrazine, N2F4), 디플오로라민(difluoramine, NF2H) 및 니트로실플루오라이드(nitrosyl fluoride, FNO) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하고,상기 울트라커패시터용 전극활물질은 상기 다공성 탄소재의 성분을 이루는 탄소(C) 100중량부에 대하여 이종원소의 전체 함량이 0
5 5
질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 소스 물질을 용매에 용해시키는 단계;질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 상기 소스 물질이 용해된 용액에 다공성 탄소재를 함침하는 단계; 상기 다공성 탄소재가 함침되어 있는 용액에 마이크로웨이브를 조사하는 단계;마이크로웨이브가 조사된 결과물을 건조하는 단계; 및건조된 결과물을 비활성 가스 분위기에서 열처리하여 질소(N) 및 불소(F)를 포함하는 이종원소가 도핑되어 있는 울트라커패시터용 전극활물질을 수득하는 단계를 포함하며,질소(N) 및 불소(F)의 이종원소를 포함하는 상기 소스 물질은 암모늄플루오로보레이트(aAmmonium fluoroborate, NH4BF4), 테트라플루오로하이드라진(tetrafluorohydrazine, N2F4), 디플오로라민(difluoramine, NF2H) 및 니트로실플루오라이드(nitrosyl fluoride, FNO) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하고,상기 울트라커패시터용 전극활물질은 상기 다공성 탄소재의 성분을 이루는 탄소(C) 100중량부에 대하여 이종원소의 전체 함량이 0
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 다공성 탄소재는 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene) 및 활성탄(activated carbon) 중에서 선택된 1종 이상의 탄소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 조사는 100∼1,500W의 출력을 사용하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 열처리는 700∼1050℃의 온도에서 수행하고, 상기 비활성 가스 분위기는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2) 가스 분위기인 것을 특징으로 하는 울트라커패시터용 전극활물질의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 기재된 방법으로 제조된 울트라커패시터용 전극활물질, 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 도전재 0
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제4항 또는 제5항에 기재된 방법으로 제조된 울트라커패시터용 전극활물질을 포함하는 울트라커패시터용 전극으로 이루어진 양극; 제4항 또는 제5항에 기재된 방법으로 제조된 울트라커패시터용 전극활물질을 포함하는 울트라커패시터용 전극으로 이루어진 음극; 상기 양극과 음극 사이에 배치되고 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막; 상기 양극, 상기 분리막 및 상기 음극이 내부에 배치되고 전해액이 주입된 금속 캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 가스켓을 포함하는 울트라커패시터
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단락을 방지하기 위한 제1 분리막과, 제4항 또는 제5항에 기재된 방법으로 제조된 울트라커패시터용 전극활물질을 포함하는 울트라커패시터용 전극으로 이루어진 양극과, 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 제2 분리막과, 제4항 또는 제5항에 기재된 방법으로 제조된 울트라커패시터용 전극활물질을 포함하는 울트라커패시터용 전극으로 이루어진 음극이, 순차적으로 적층되어 코일링된 롤 형태를 이루는 권취소자; 상기 음극에 연결된 제1 리드선;상기 양극에 연결된 제2 리드선; 상기 권취소자를 수용하는 금속캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 실링 고무를 포함하며, 상기 권취소자는 전해액에 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 비츠로셀 경제협력권산업육성사업 초고온(140도) 전기이중층 커패시터 개발