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이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키 접합 광전소자(Garphene-Semiconductor Schottky Junction Photodetector of having tunable Gain)

  • 기술번호 : KST2017014599
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀을 이용하는 광전소자가 개시된다. n형으로 도핑된 반도체 기판 상에 단일층 그래핀 채널이 형성된다. 그래핀 채널의 일단부는 소스 전극과 연결되고, 드레인 전극과는 물리적으로 분리된다. 게이트 절연층 및 게이트 전극을 통과한 광은 쇼트키 접합을 형성하는 그래핀 채널과 반도체 기판의 계면에서 전자-정공 쌍을 발행하고, 쇼트키 장벽에 의해 광전류를 형성한다. 또한, 인가되는 게이트 전압에 따라 쇼트키 장벽은 변경되고, 일를 통해 광전류는 변경된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160024910 (2016.03.02)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1938934-0000 (2019.01.09)
공개번호/일자 10-2017-0102616 (2017.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20190410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병훈 대한민국 광주광역시 북구
2 장경은 대한민국 광주광역시 북구
3 유태진 대한민국 광주광역시 북구
4 황현준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0201646-33
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0232992-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0122551-53
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0857731-14
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0909719-18
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001868-59
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0508526-45
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0944239-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0944238-69
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0885196-68
12 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5009406-86
13 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0209990-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형으로 도핑되고, 입사되는 광에 의해 계면에서 전자-정공 쌍이 형성되는 반도체 기판상기 반도체 기판 상에 형성된 소스 절연층상기 소스 절연층 상에 형성되고, 상기 반도체 기판의 가전자대의 경사면을 따라 상기 전자-정공 쌍의 정공이 이동되는 소스 전극상기 소스 절연층 또는 상기 소스 전극과 대향하는 부위에 형성되고, 상기 반도체 기판 상에 형성되어, 상기 반도체 기판의 전도대의 경사면을 따라 상기 전자-정공 쌍의 전자가 이동되는 드레인 전극상기 소스 절연층과 상기 소스 전극 사이에 개입되고, 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 전자-정공 쌍의 정공이 상기 소스 전극으로 이동하는 채널로 작용하는 그래핀 채널상기 그래핀 채널 상에 형성되고, 광투과성을 가짐을 통해 상기 광이 투과되는 게이트 절연층 및상기 게이트 절연층 상에 형성되고, 광투과성을 가짐을 통해 상기 광이 투과되며, 인가되는 전압을 통해 상기 반도체 기판과 상기 그래핀 채널 사이의 쇼트키 장벽을 조절하는 게이트 전극을 포함하고,상기 광이 상기 그래핀 채널 및 상기 반도체 기판의 계면에 입사되면, 상기 그래핀 채널과 상기 반도체 기판의 접합에 의해 형성된 쇼트키 장벽에 의해 광 전류가 발생되고, 상기 광의 입사에 의해 상기 반도체 기판과 상기 그래핀 채널의 접합 부위의 전도대의 전자는 상기 반도체 기판의 벌크 영역을 통해 상기 드레인 전극으로 이동하고, 상기 반도체 기판과 상기 그래핀 채널의 접합 부위의 가전자대의 정공은 상기 그래핀 채널을 통해 상기 소스 전극으로 이동하는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 그래핀 채널은 상기 소스 절연층과 상기 드레인 전극 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성되며, 상기 드레인 전극과는 물리적으로 분리된 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 게이트 절연층은 상기 그래핀 채널과 상기 드레인 전극 사이에 노출된 상기 반도체 기판의 표면을 차폐하는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 또는 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 쇼트키 장벽은 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극의 전압차인 게이트 전압에 의해 변경되는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 게이트 전압은 음의 값을 가질수록 쇼트키 장벽이 증가하고, 상기 광전류가 증가하는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
10 10
제8항에 있어서, 상기 게이트 전압은 양의 값을 가질수록 쇼트키 장벽이 감소하고, 상기 광전류가 감소하는 것을 특징으로 하는 그래핀 광전소자
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
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1 US20170256667 US 미국 FAMILY

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1 US2017256667 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광주과학기술원 하이브리드 인터페이스 기반 미래소재 연구 인공 두뇌급 고성능 소자 구현을 위한 3D 집적 반도체소재 원천기술 개발
2 미래창조과학부 광주과학기술원 미래유망융합기술파이오니아 뉴로모픽 집적회로를 이용한 청각신경신호 패턴인식 시스템 개발
3 산업통상자원부 서강대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업 0.7 V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발