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스퍼터링 챔버 내부에 투입되어 증착되는 불소계고분자 복합 타겟으로서, 상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자와 도전성 기능화제 및 금속화합물에서 선택되는 하나 이상의 성분을 포함하는 혼합물을 성형하여 제조되는 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서, 상기 기능화제는 전도성입자, 전도성고분자, 및 금속성분에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 금속화합물은 금속유기물, 금속산화물, 금속탄소체, 금속수산화물, 금속카보네이트, 금속바이카보네이트, 금속질화물 및 금속불화물에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서, 상기 전도성입자는 카본나노튜브, 카본나노섬유, 카본블랙, 그래핀, 그라파이트 및 탄소섬유에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리플루렌, 폴리피렌, 폴리아줄렌, 폴리나프탈렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리카르바졸, 폴리인돌, 폴리아제핀, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리퓨란, 폴리셀레노펜 및 폴리텔루로펜에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서, 상기 금속성분은 Cu, Al, Ag, Au, W, Mg, Ni, Mo, V, Nb, Ti, Pt, Cr 및 Ta 에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제2항에 있어서, 상기 금속화합물은 ITO, IGZO, ZnO, In2O3, SnO2, TiO2, AZO, ATO, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZrO2, Y2O3, MgF2, CuF2, Si3N4, CuN 및 AlN에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서, 상기 불소계고분자는 폴리테트라 플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리비닐리덴디플루오라이드, 플로린화 에틸렌 프로필렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 , 에틸렌-클로로트리플루오로 에틸렌 공중합체, 퍼플루오로알콕시 공중합체, 비닐플루오라이드 단일중합체 고무, 비닐플루오라이드 공중합체 고무, 비닐리덴플루오라이드 단일중합체 고무 및 비닐리덴플루오라이드 공중합체 고무에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자 100 중량부에 대하여 상기 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분을 0
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제1항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟은 두께 방향으로 상기 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량 구배를 가지도록 제조되는 것인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제9항에 있어서,상기 구배는 전극면을 향하여 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량이 높고, 피착체의 방향으로는 기능화제 또는 기능화제와 금속화합물의 혼합성분의 함량이 감소되도록 전극면상에 접착되는 것이거나 또는 그 반대로 접착된 것인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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제 9항에 있어서,상기 불소계고분자 복합 타겟의 구배는 2 단 이상의 복합 타겟이 적층된 형태로 열성형되어 제조되거나 연속적인 함량의 구배를 가지는 것인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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스퍼터링 챔버 내부에 투입되어 증착되는 불소계고분자 복합 타겟으로서, 상기 불소계고분자 복합 타겟은 불소계고분자 100 중량부에 대하여 0
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제 12항에 있어서,상기 기능화제는 전도성입자, 전도성 고분자 및 금속성분에서 선택되는 하나 이상인 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟
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RF 스퍼터링을 위한 스퍼터링 챔버, 상기 챔버 내부에 형성되는 제 1전극 인가부, 상기 제 1전극인가부 상부면에 위치하는 제1항 내지 제13항에서 선택되는 어느 한 항의 RF 스퍼터링용 불소계고분자 복합 타겟, 제 2전극 인가부, 제 2전극 인가부와 불소계고분자 복합 타겟 사이에 위치하는 피착체를 포함하는 RF 스퍼터링 증착시스템
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