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광전도성 기판과,상기 광전도성 기판 상에 2차원 어레이 형태로 배열되는 다수의 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들을 포함하며,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들은,상기 광전도성 기판 상에 상기 2차원 어레이 형태로 배열되며, 다수의 제1 전극패드들 중 각기 다른 제1 전극패드에 개별적으로 연결되는 다수의 제1 전극들과,상기 광전도성 기판 상에 상기 제1 전극들과 대향되도록 형성된 하나 이상의 제2 전극을 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들은 서로 다른 적어도 두 방향을 따라 각각 복수 개씩 상호 이격되도록 배열되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극패드들은, 상기 제1 전극들의 수만큼 상기 광전도성 기판의 외곽부에 구비되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제1 전극들 각각과 대향되도록 적어도 행 또는 열 단위로 분기된 하나의 일체형 전극으로 구현되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들 각각에는 양의 바이어스 전압, 음의 바이어스 전압, 또는 그라운드 전압이 선택적으로 인가되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 전극에는 그라운드 전압이 인가되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 대향 전극을 향하는 방향으로 돌출된 하나 이상의 돌출부를 구비하는 테라헤르츠파 발생 장치
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8
제1항에 있어서,상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극 각각에는, 대향 전극을 향하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출부들이 형성되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제8항에 있어서,상기 돌출부들은, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극 사이의 적어도 일 영역에서 대향 전극에 형성된 하나 이상의 돌출부와 나란히 이격되어 배열되는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들 각각과 상기 제2 전극의 사이에 형성된 스플리트 링 공진기를 더 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 광전도성 기판의 후면에 배치되는 산란형 테라헤르츠 위상제어판을 더 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 광전도성 기판의 전면에 배치되는 펄스파 혹은 연속파 광원을 더 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 광전도성 기판의 전면에 배치되는 공간 광 변조기를 더 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치
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테라헤르츠파의 목표 방사 방향을 설정하는 단계와,어레이 형태로 배열된 다수의 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들을 포함하는 테라헤르츠파 발생 장치를 준비하고, 상기 테라헤르츠파 발생 장치의 전면에 광원을 배치하는 단계와,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들 각각의 온/오프를 개별적으로 조절하면서, 상기 테라헤르츠파 발생 장치로부터 방출되는 테라헤르츠파의 방사 방향이 상기 목표 방사 방향에 부합되도록 제어하는 단계를 포함하는 테라헤르츠 파면 제어 방법
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제14항에 있어서,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들 각각의 온/오프를 개별적으로 조절하는 단계에서, 상기 단위 소자들 각각에 인가되는 바이어스 전압을 개별적으로 조절하는 테라헤르츠 파면 제어 방법
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제15항에 있어서,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들 각각의 온/오프를 개별적으로 조절하는 단계에서, 상기 단위 소자들 모두에 펄스파 광원 혹은 연속파 비팅광원으로부터 방출되는 광을 동시에 입사시키는 테라헤르츠 파면 제어 방법
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제14항에 있어서,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들 각각의 온/오프를 개별적으로 조절하는 단계에서, 상기 단위 소자들의 전면에 공간 광 변조기를 배치하고 상기 단위 소자들 중 적어도 일부에 선택적으로 광을 조사하는 테라헤르츠 파면 제어 방법
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제17항에 있어서,상기 테라헤르츠파 발생용 단위 소자들 각각의 온/오프를 개별적으로 조절하는 단계에서, 상기 단위 소자들 모두에 동일한 바이어스 전압을 인가하는 테라헤르츠 파면 제어 방법
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