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도파로와 상기 도파로 상에 배치되어, 시료 내의 항원을 흡착하는 나노 입자들을 포함하는 센서;상기 도파로의 일측으로 광을 제공하는 광원;상기 광원에 대향하는 상기 도파로의 타측에 배치되어 상기 광을 수광하는 수광 부; 및상기 수광 부에서 수광되는 상기 광의 검출 신호를 수신하고, 상기 나노 입자들의 플라즈몬 공명에 따른 상기 도파로 내의 상기 광의 투과율의 차이를 파악하여 상기 항원의 감지를 판별하는 제어 부를 포함하는 항원 검출 장치
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제 1 항에 있어서,상기 도파로는 슬랩 도파로를 포함하는 항원 검출 장치
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제 2 항에 있어서,상기 나노 입자들은 상기 슬랩 도파로의 상부 면과 하부 면 상에 배치되는 항원 검출 장치
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제 1 항에 있어서,상기 도파로는 광섬유를 포함하는 항원 검출 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원은 레이저 다이오드를 포함하는 항원 검출 장치
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제 5 항에 있어서,상기 나노 입자들이 상기 항원을 감지할 때, 상기 센서의 상기 투과율은 상기 530nm 파장의 상기 광에 대해 0
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제 1 항에 있어서,상기 나노 입자들의 각각은 금 나노 입자를 포함하는 항원 검출 장치
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제 7 항에 있어서,상기 금 나노 입자는 50나노미터 직경을 갖는 금 나노디스크를 포함하는 항원 검출 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 금 나노 입자는 금 나노스타 또는 금 나노프리즘을 포함하는 항원 검출 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광원과 상기 도파로 사이에 배치되고, 상기 광을 편광하는 편광기를 더 포함하는 항원 검출 장치
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시료 내의 항원을 감지하는 항원 센서에 있어서,광을 투과시키는 도파로; 및상기 도파로 상에 배치되어 상기 항원을 흡착하고, 상기 도파로 내에 투과되는 상기 광의 플라즈몬 공명에 따른 상기 도파로 내의 상기 광의 투과율의 차이를 발생시키는 나노 입자들을 포함하는 항원 센서
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제 11 항에 있어서,상기 도파로는 슬랩 도파로를 포함하는 항원 센서
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제 12 항에 있어서, 상기 나노 입자들은 상기 슬랩 도파로의 상부 면과 하부 면 상에 배치되는 항원 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 도파로는 광 섬유를 포함하는 항원 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 나노 입자들은 50나노미터 직경을 갖는 금 나노 디스크를 포함하는 항원 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자들은 금 나노스타 또는 금 나노프리즘을 포함하는 항원 센서
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항원 센서 상에 시료를 제공하는 단계;상기 항원 센서에 광을 제공하는 단계; 상기 항원 센서에 투과된 광을 수광하는 단계; 및상기 항원 센서의 투과율을 계산하여 상기 시료 내의 항원의 검출을 판별하는 단계를 포함하는 항원 검출 방법
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제 17 항에 있어서,상기 시료를 제공하는 단계는 상기 시료 내에 상기 항원 센서를 제공하는 단계를 포함하는 항원 검출 방법
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제 18 항에 있어서,상기 시료 내의 상기 항원 센서를 뒤흔드는 단계를 더 포함하는 항원 검출 방법
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제 17 항에 있어서,상기 항원은 CK-MB를 포함하는 항원 검출 방법
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