| 1 |
1
하기 화학식 1로서 표시되는 쿠마린계 유도체 화합물:[화학식 1];상기 화학식 1 에서,R은 상기 화학식 1의 쿠마린 고리의 6-위치 또는 7-위치에 위치하는 치환기로서 C6-50 아릴기를 포함함
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 아릴기는 페닐기, 안트릴기, 나프틸기, 페난트릴기, 인덴기, 아줄렌기, 플루오레닐기, 테트라센기, 트리페닐렌기, 피렌기, 크리센기, 펜타센기, 테트라페닐렌기, 헥사펜기, 루비센기, 코로넨기, 트리나프틸렌기, 피란트렌기, 플로란센기, 벤조플로란센기, 나프타센기, 및 코로닐기 중 적어도 하나를 포함하는 쿠마린계 유도체 화합물
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 쿠마린계 유도체 화합물은,, , 및 중 적어도 하나를 포함하는 쿠마린계 유도체 화합물
|
| 4 |
4
하기 화학식 2로서 표시되는 쿠마린계 화합물을 팔라듐 촉매의 존재 하에서 C6-50 아릴 보론산과 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 쿠마린계 유도체 화합물의 제조 방법:[화학식 2];상기 화학식 2에서,X 는 상기 화학식 2의 쿠마린 고리의 6-위치 또는 7-위치에 위치하는 할로겐임
|
| 5 |
5
제 4 항에서,상기 아릴기는 페닐기, 안트릴기, 나프틸기, 페난트릴기, 인덴기, 아줄렌기, 플루오레닐기, 테트라센기, 트리페닐렌기, 피렌기, 크리센기, 펜타센기, 테트라페닐렌기, 헥사펜기, 루비센기, 코로넨기, 트리나프틸렌기, 피란트렌기, 플로란센기, 벤조플로란센기, 나프타센기, 및 코로닐기 중 적어도 하나를 포함하는 제1항에 따른 쿠마린계 유도체 화합물의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 쿠마린계 유도체 화합물을 포함하는 형광 조성물
|
| 7 |
7
제6항에서,상기 형광 조성물은 반도체성 고분자를 더 포함하는 형광 조성물
|
| 8 |
8
제7항에서,상기 형광 조성물은 전자 공여 도핑 물질을 더 포함하는 형광 조성물
|
| 9 |
9
제7항에서,상기 반도체성 고분자는 폴리비닐카바졸계 고분자, 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 및 폴리티오펜계 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 형광 조성물
|
| 10 |
10
제6항에서,상기 쿠마린계 유도체 화합물에 포함된 아릴기의 탄소수의 증가에 따라 π 컨쥬게이션 길이가 증가하고 n-π* 싱글렛 상태의 에너지 준위가 커지는 형광 조성물
|
| 11 |
11
제6항에서, 상기 쿠마린계 유도체 화합물의 n-π* 싱글렛 상태의 레벨은 ICT 싱글렛 상태 및 엑시플렉스 싱글렛 상태 중 적어도 어느 하나보다 높은 형광 조성물
|
| 12 |
12
제11항에서,상기 n-π* 싱글렛 상태에서 상기 ICT 싱글렛 상태로의 전이를 통해 형광을 방출하는 형광 조성물
|
| 13 |
13
제12항에서,상기 쿠마린계 유도체 화합물의 산화 포텐셜 값과 환원 포텐셜 값 사이의 차이는 방출되는 형광의 에너지 보다 큰 형광 조성물
|
| 14 |
14
제7항에서,상기 n-π* 싱글렛 상태에서 엑시플렉스 상태를 통해 형광을 방출하는 형광 조성물
|
| 15 |
15
제14항에서,방출되는 상기 형광의 피크 에너지는 상기 반도체성 고분자의 산화 포텐셜(Eox) 값과 상기 쿠마린계 유도체 화합물의 환원 포텐셜(Ered) 값의 차이에 비례하는 형광 조성물
|
| 16 |
16
제14항에서,상기 반도체성 고분자의 산화 포텐셜이 상기 쿠마린계 유도체 화합물의 산화 포텐셜보다 작은 형광 조성물
|
| 17 |
17
제6항에서,상기 n-π* 싱글렛 상태에서는,상기 ICT 싱글렛 상태 및 상기 엑시플렉스 싱글렛 상태에서 방출되는 형광 보다 약한 형광이 방출되는 형광 조성물
|
