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다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름 및 그 제조방법(Low emissivity film using amorphous IGZO multilayer structure and manuracturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017014791
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 스펙트럼을 선택적으로 방사하거나 차단하여 단열효과를 향상시키기 위한 저방사 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기존의 Ag 기반의 결정질 투명산화물 다층 박막에서 Ag 단열층의 형성에 영향을 주는 하지층 및 보호층의 결정질의 영향으로 인해 단열층의 형성이 크게 저해되었던 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 결정질에 따른 결정입계(grain boundary), 거칠기(roughness), 결점(defect) 등으로부터 자유로운 비정질 산화인듐갈륨아연(Indium Gallium Zinc Oxide ; IGZO) 층을 이용하여, 기판 위에 비정질 산화인듐갈륨아연막층, 단열층, 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 차례로 적층하는 구조로 구성됨으로써, 종래의 Ag 층보다 더 작은 두께에서도 높은 전도성 및 저방사율을 가지는 열방사 방지막을 제조 가능한 동시에, PET 기판위에 코팅하여 기존의 유리 위에 용이하게 부착하여 사용할 수 있도록 구성되는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름 및 그 제조방법이 제공된다.
Int. CL B32B 15/08 (2016.04.13) B32B 27/16 (2016.04.13) B32B 15/04 (2016.04.13) C23C 28/00 (2016.04.13) C23C 14/08 (2016.04.13) C23C 14/34 (2016.04.13)
CPC B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01) B32B 15/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160026858 (2016.03.07)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0104189 (2017.09.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.07)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0216355-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0072087-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0346288-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0669666-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0669665-88
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0803298-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름에 있어서, 필름 기판; 상기 필름 기판 위에 적층되는 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층; 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층 위에 적층되는 단열층; 및 상기 단열층을 보호하기 위해 상기 단열층 위에 적층되는 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 포함하여 구성되고, 상기 필름 기판은, PET, PEN, PES 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판 소재를 사용하여 이루어지고, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층은, 상기 단열층의 하지층으로서 In-Ga-Zn-O(IGZO)의 각 원소의 양을 0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 필름 기판은, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층, 상기 단열층 및 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층의 적층이 이루어지기 전에 세척되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층은, 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 10nm 내지 1000nm의 두께로 증착되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단열층은, 적외선 영역의 투과율을 감소시키는 것에 의해 열의 이동을 제한하기 위하여 은(Ag)을 포함하는 박막층으로서 열증착법을 이용하여 1nm 내지 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층은, 스퍼터링 방법을 이용하여 10nm 내지 1000nm의 두께로 증착되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
6 6
제 1항에 있어서, 상기 저방사 필름은, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연층 및 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연층의 두께가 서로 동일하게 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
7 7
제 1항에 있어서, 상기 저방사 필름은, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연층 및 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연층의 두께가 서로 상이하게 형성되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
8 8
제 1항에 있어서, 상기 저방사 필름은, 상기 필름 기판 위에 적층되는 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층, 상기 단열층 및 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 포함하는 3층막 구조가 복수 개 반복되어 적층되는 반복구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름
9 9
청구항 1항 내지 청구항 8항 중 어느 한 항에 기재된 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름의 제조방법에 있어서, 상기 저방사 필름을 제작하기 위한 필름 기판을 세척하는 단계; 상기 필름 기판 위에 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 증착하는 단계; 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층 위에 단열층을 증착하는 단계; 및 상기 단열층 위에 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 증착하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 필름 기판을 세척하는 단계는, 상기 다층 비정질 산화인듐갈륨아연층을 증착하기 전에 상기 필름 기판을 메탄올, DI-water(deionized water) 순으로 초음파세척을 진행하고, N2건(gun)을 이용하여 기판상에 남은 DI-water를 제거하는 처리가 수행되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 제 1 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 증착하는 단계 및 상기 제 2 비정질 산화인듐갈륨아연막층을 증착하는 단계는, 각각 상기 비정질 산화인듐갈륨아연층으로서 In-Ga-Zn-O(IGZO)를 사용하여 스퍼터링 방법으로 10nm 내지 1000nm의 두께로 증착하는 처리가 수행되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름의 제조방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 단열층을 증착하는 단계는, 상기 단열층으로서 Ag층을 사용하여 열증착법을 통해 1nm 내지 20nm 의 두께로 증착하거나, 또는, 상기 열증착법 대신에, 스퍼터링 방법을 이용하여 증착하는 처리가 수행되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 저방사 필름의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 청주대학교 중견연구자지원사업 비정질 산화물반도체 박막을 이용한 에너지 보존용 투명 저방사 방지막 융합 기술 개발