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자체 모드 잠김 레이저 시스템(SELF MODE LOCK LASER SYSTEM)

  • 기술번호 : KST2017014842
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 자체 모드 잠김 레이저 시스템은 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 마련된 제1 반도체부를 구비하며 광 신호를 생성하는 레이저 다이오드와, 상기 반도체 기판 상에 마련된 제2 반도체부를 구비하고 단일 방향의 방사각을 갖는 WGM(Whispery Gallery Mode) 공진기, 및 상기 반도체 기판 상에서 상기 레이저 다이오드와 상기 공진기가 광학적으로 결합되어 상기 레이저 다이오드의 광 신호에 의한 모드 잠김(Mode-Lock)된 광 신호를 방사하는 구조체를 포함할 수 있다.
Int. CL H01S 3/08 (2016.04.19) H01S 3/067 (2016.04.19) H01S 3/0941 (2016.04.19) H01S 3/094 (2016.04.19)
CPC H01S 3/08036(2013.01) H01S 3/08036(2013.01) H01S 3/08036(2013.01) H01S 3/08036(2013.01)
출원번호/일자 1020160029518 (2016.03.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0105999 (2017.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0237047-82
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030993-28
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 마련된 제1 반도체부를 구비하며 광 신호를 생성하는 레이저 다이오드; 상기 반도체 기판 상에 마련된 제2 반도체부를 구비하고 단일 방향의 방사각을 갖는 WGM(Whispery Gallery Mode) 공진기; 및상기 반도체 기판 상에서 상기 레이저 다이오드와 상기 공진기가 광학적으로 결합되어 상기 레이저 다이오드의 광 신호에 의한 모드 잠김(Mode-Lock)된 광 신호를 방사하는 구조체를 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
2 2
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 소정 각도로 경사진 입사면을 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체부는, n형 도핑된 제1 하부 클래드층과, p형 도핑된 제1 상부 클래드 층, 및 상기 제1 하부 클래드층과 상기 제1 상부 클래드층 사이에 배치된 제1 활성층을 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
4 4
제3 항에 있어서,상기 제2 반도체부는, n형 도핑된 제2 하부 클래드층과, p형 도핑된 제2 상부 클래드층, 및 상기 제2 하부 클래드층과 상기 제2 상부 클래드층 사이에 배치된 제2 활성층을 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
5 5
제4 항에 있어서,상기 제1 활성층과 상기 제2 활성층은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
6 6
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 FP (Fabry-Perot) 레이저 다이오드, DFB (Distributed Feed-Back) 레이저 다이오드, DBR (Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드 중 선택된 어느 하나를 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
7 7
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드와 상기 WGM 공진기 사이에 배치되어 상기 레이저 다이오드에서 생성된 광 신호를 집광하는 렌즈를 더 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
8 8
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드와 상기 WGM 공진기는 별도의 기판에서 각각 형성되고, 이들 사이에 상기 레이저 다이오드에서 생성된 광 신호를 집광하는 렌즈를 더 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
9 9
제1 항에 있어서,상기 WGM 공진기는 실리콘, 실리카 또는 CaF2를 포함하는 저 손실 물질 중 선택된 어느 하나로 구성된 수동 도파로를 포함하는 자체 모드 잠김 레이저 시스템
10 10
제9 항에 있어서,상기 WGM 공진기는 상기 반도체 기판 상에서 상기 레이저 다이오드와 하이브리드 집적된 자체 모드 잠김 레이저 시스템
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1 US20170264079 US 미국 FAMILY

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1 US2017264079 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 첨단융합기술개발 극고품위값 마이크로디스크 레이저 및 고감도 화학센서 개발