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비접촉 자기 특성 연속 측정장치 및 연속 측정방법(Continous measurement method and the continuous measurement device of non-contact magnetic properties)

  • 기술번호 : KST2017014887
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판에 복수의 자성재료가 경사형으로 서로 상이한 조성비가 분포되도록 증착되어 형성된 조성경사형 박막의 자성을 측정하기 위한 비접촉 자기 특성 연속 측정장치에 있어서, 상기 조성경사형 박막이 연속 이동이 가능하도록 상기 조성경사형 박막을 지지하여 함께 연속이동하는 지지부재와; 상기 지지부재가 지나가는 영역에 상기 지지부재와 접촉되지 않도록 이격된 상태로 설치되며, 상기 조성경사형 박막에 자기장을 인가하는 전자석과; 상기 전자석과 대향하도록 상기 지지부재가 지나가는 영역에 설치되어 상기 전자석의 자기장에 의한 상기 조성경사형 박막의 자화도를 일정간격으로 스캔하는 홀프로브센서와; 상기 전자석으로의 전류 공급량 제어와, 상기 지지부재의 이동 및 정지 구동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 영역마다 서로 상이한 조성비가 연속적으로 분포되도록 자성재료를 기판에 증착시켜 박막을 제조하고, 박막을 비접촉 상태로 상이한 조성비의 자성재료를 연속적으로 자기 특성을 측정하여 최적의 자성재료 조성비를 선택할 수 있다.
Int. CL G01R 33/07 (2016.04.15) G01R 33/12 (2016.04.15) G01R 33/00 (2016.04.15)
CPC G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01) G01R 33/07(2013.01)
출원번호/일자 1020160028085 (2016.03.09)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0105205 (2017.09.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호섭 대한민국 경상남도 김해시 번화*로 ***, ***
2 하동우 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0226761-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 복수의 자성재료가 경사형으로 서로 상이한 조성비가 분포되도록 증착되어 형성된 조성경사형 박막의 자성을 측정하기 위한 비접촉 자기 특성 연속 측정장치에 있어서,상기 조성경사형 박막이 연속 이동이 가능하도록 상기 조성경사형 박막을 지지하여 함께 연속이동하는 지지부재와;상기 지지부재가 지나가는 영역에 상기 지지부재와 접촉되지 않도록 이격된 상태로 설치되며, 상기 조성경사형 박막에 자기장을 인가하는 전자석과;상기 전자석과 대향하도록 상기 지지부재가 지나가는 영역에 설치되어 상기 전자석의 자기장에 의한 상기 조성경사형 박막의 자화도를 일정간격으로 스캔하는 홀프로브센서와;상기 전자석으로의 전류 공급량 제어와, 상기 지지부재의 이동 및 정지 구동을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 전자석은, 상기 지지부재가 지나가는 영역의 상부 및 하부에 상기 지지부재와 접촉되지 않도록 일정 간격으로 이격 설치되는 상부전자석 및 하부전자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 지지부재가 릴투릴(reel-to-reel) 형식으로 연속 이동이 가능하도록 상기 지지부재의 양단부에 결합되는 공급릴 및 회수릴을 포함하는 것을 비접촉 자기 특성 연속 측정장치
4 4
제 1항에 있어서,상기 지지부재가 상기 상부전자석 및 상기 하부전자석 사이로 연속 이동이 가능하도록 상기 지지부재를 수평방향으로 안내하는 한 쌍의 가이드롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 홀프로브센서는 복수의 홀을 포함하며, 복수의 상기 홀은 상기 조성경사형 박막의 폭방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정장치
6 6
기판에 복수의 자성재료가 경사형으로 서로 상이한 조성비가 분포되도록 증착되어 형성된 조성경사형 박막의 자성을 측정하기 위한 비접촉 자기 특성 연속 측정방법에 있어서,상기 조성경사형 박막을 지지부재에 지지하는 단계와;상기 지지부재를 전자석의 상부 또는 하부를 지나도록 연속 이동시켜 상기 조성경사형 박막을 상기 전자석의 상부 또는 하부에 일정 간격으로 고-스탑(go-stop) 구동하며, 홀프로브센서를 통해 상기 조성경사형 박막의 자화도를 연속 측정하는 단계와; 연속 측정된 상기 조성경사형 박막의 자화도를 기초하여 해당 영역의 잔류자화 및 보자력을 확인하고, 최적의 자성재료 조성비를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
7 7
제 6항에 있어서,조성경사형 박막의 자화도를 연속 측정하는 단계에서,상기 전자석은 서로 이격 배치된 상부전자석 및 하부전자석을 포함하며,상기 지지부재는 상기 상부전자석 및 상기 하부전자석 사이를 연속 이동하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 조성경사형 박막의 자화도를 연속 측정하는 단계는,상기 지지부재가 공급릴 및 회수릴에 의해 릴투릴(reel-to-reel) 방식으로 연속 이동되는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
9 9
제 6항에 있어서,상기 최적의 자성재료 조성비를 얻는 단계에서,상기 잔류자화 및 보자력은 히스테리시스 곡선(hysteresis loop)을 통해 확인되는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
10 10
제 6항에 있어서,상기 최적의 자성재료 조성비를 얻는 단계에서,상기 조성경사형 박막이 길이방향을 따라 1 내지 5mm 간격으로 고-스탑 구동되는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
11 11
기판에 복수의 자성재료가 경사형으로 서로 상이한 조성비가 분포되도록 증착되어 형성된 조성경사형 박막의 자성을 측정하기 위한 비접촉 자기 특성 연속 측정방법에 있어서,기판에 복수의 자성재료를 증착하여 조성경사형 박막을 제조하는 단계와;상기 조성경사형 박막을 지지부재에 지지하는 단계와;상기 지지부재를 전자석의 상부 또는 하부를 지나도록 연속 이동시켜 상기 조성경사형 박막을 상기 전자석의 상부 또는 하부에 일정 간격으로 고-스탑(go-stop) 구동하며, 홀프로브센서를 통해 상기 조성경사형 박막의 자화도를 연속 측정하는 단계와; 연속 측정된 상기 조성경사형 박막의 자화도를 기초하여 해당 영역의 잔류자화 및 보자력을 확인하고, 최적의 자성재료 조성비를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 조성경사형 박막을 제조하는 단계는,상기 기판의 하부에 배치된 복수의 증발기 각각에 상이한 자성재료를 저장하고, 상기 자성재료를 상기 기판의 영역마다 상이한 조성비를 갖도록 증착시키는 것을 특징으로 하는 비접촉 자기 특성 연속 측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.