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질화물 반도체 나노 막대 장치 및 그 제조 방법(Nitride-based semiconductor nano rod and manufacturing method of the same)

  • 기술번호 : KST2017014941
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 나노 막대 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.또한, 본 발명에 따르면, 기판; 상기 기판에 형성된 지지층; 상기 지지층에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층에 형성된 나노 막대층을 포함하는 질화물 반도체 나노 막대 장치 및 그 제조 방법을 제공하여 사파이어 기판 전체에 나노 막대가 제작될 수 있어 소자 제작이 용이하여 종래 기술에서 제기된 국소 부위에만 나노 구조가 제작되어 소자로 제작하기에 어려운 문제점을 해결하였다.
Int. CL H01L 29/06 (2016.04.15) H01L 33/22 (2016.04.15) H01L 33/12 (2016.04.15) H01L 31/0392 (2016.04.15) H01L 31/0352 (2016.04.15)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020160028407 (2016.03.09)
출원인 한국산업기술대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0105323 (2017.09.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진완 대한민국 서울특별시 성동구
2 편재도 대한민국 경상북도 김천시
3 남옥현 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술대학교산학협력단 경기도 시흥시 산기대학로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0229422-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0042713-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0207017-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0428066-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0428067-54
7 협의요구서
Request for Consultation
2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0673511-52
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0673510-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1136358-43
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.15 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2017-1136359-99
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0187980-64
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0187981-10
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.04.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0326816-10
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0326815-75
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0303128-80
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0497556-10
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0497555-64
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0747247-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판에 표면이 노출되도록 매립되어 형성되어 있으며, 산화알루미늄층인 지지층;상기 지지층에 형성된 버퍼층; 막대형상으로 상기 버퍼층에 일단부가 접촉되어 형성된 나노 막대층; 및 상기 나노 막대층에 형성된 발광층을 포함하는 질화물 반도체 나노 막대 장치
2 2
청구항 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 질화물 반도체 나노 막대 장치
3 3
청구항 1항에 있어서,상기 기판은 나노미터의 폭과 단차 높이를 갖는 단차면들이 비시널 형태를 갖는 질화물 반도체 나노 막대 장치
4 4
청구항 3항에 있어서,상기 단차면들의 벽에 접촉되게 형성되어 있는 나노 웰층을 더 포함하는 질화물 반도체 나노 막대 장치
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1항에 있어서,상기 버퍼층은 지지층에 형성된 N-극성(polar) 사이트와 그외의 부분에 형성된 3족-극성(polar) 사이트로 이루어진 질화물 반도체 나노 막대 장치
8 8
청구항 7항에 있어서,상기 나노 막대층은 상기 3족-극성 사이트상에 극성에 따른 면방향의 반도체 질화물층인 AlxGa1-xN(0≤x≤1)층으로 이루어진 질화물 반도체 나노 막대 장치
9 9
청구항 1항에 있어서,상기 나노 막대층 사이에 형성되어 있는 희생층을 더 포함하는 질화물 반도체 나노 막대 장치
10 10
청구항 9항에 있어서,상기 버퍼층은 지지층에 형성된 N-극성(polar) 사이트와 그외의 부분에 형성된 3족-극성(polar) 사이트로 이루어진 있으며, 상기 나노 막대층은 상기 3족-극성 사이트상에 극성에 따른 면방향의 반도체 질화물층인 AlxGa1-xN(0≤x≤1)층으로 이루어진 있고, 상기 희생층은 상기 N-극성(polar) 사이트상에 극성에 따른 면방향의 반도체 질화물층인 AlxGa1-xN(0≤x≤1)층으로 이루어진 질화물 반도체 나노 막대 장치
11 11
(A) 기판에 N-극성(polar) 사이트가 형성되어야 할 부분에 제1 반응 가스를 공급하여 표면이 노출되도록 매립된 상태로 지지층을 형성하는 단계;(B) 사이트 형성을 위한 제2반응 가스를 공급하여 상기 기판의 지지층에 N-극성(polar) 사이트를 형성하고 그 외의 기판 부분에 3족-극성(polar) 사이트를 형성하는 단계;(C) 질화물 반도체층 형성을 위한 제3반응 가스를 공급하여 상기 N-극성 사이트와 상기 3족-극성 사이트 상에 각각의 극성에 따른 면방향의 AlxGa1-xN(0≤x≤1)층을 형성하는 단계; 및 (D) 상기 N-극성 사이트 상에 형성된 AlxGa1-xN을 식각하여 상기 3족-극성 사이트 상의 AlxGa1-xN의 나노 막대층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
12 12
청구항 11항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
13 13
청구항 11에 있어서,상기 기판은 나노미터의 폭과 단차 높이를 갖는 단차면들이 비시날 형태를 갖는 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
14 14
삭제
15 15
청구항 12항에 있어서,상기 지지층은 상기 기판의 표면이 노출되도록 매립되어 있는 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
16 16
청구항 12항에 있어서,상기 지지층은 산화알루미늄층인 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
17 17
청구항 12항에 있어서,상기 (A) 단계에서 상기 제1 반응 가스는 수소 가스이며, 850℃~1200℃의 사이에서 정해진 온도로 상기 지지층을 형성하는 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
18 18
청구항 17항에 있어서,상기 (B) 단계에서 상기 제2 반응 가스는 암모니아 가스이며, 700℃~1000℃의 사이에서 정해진 온도로 상기 기판의 지지층에 N-극성(polar) 사이트를 형성하고 그 외의 기판 부분에 3족-극성(polar) 사이트를 형성하는 질화물 반도체 나노 막대 장치 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)탑엔지니어링 글로벌전문기술개발(주력 및 신산업) 살균정화용 심자외선 발광소자 에피성장 장비기술 개발