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기판 상에 상전이 막, 하드 마스크 막, 및 포토레지스트 막을 순차적으로 제공하는 것;상기 포토레지스트 막 상에 패턴 개구부를 갖는 포토 마스크를 배치하는 것;상기 패턴 개구부를 통해 상기 포토레지스트 막으로 제1 광을 조사하여, 상기 포토레지스트 막에 상기 하드 마스크 막을 노출시키는 제1 개구부를 형성하는 것;상기 하드 마스크 막을 식각하여, 상기 하드 마스크 막에 상기 상전이 막을 노출시키는 제2 개구부를 형성하는 것; 그리고, 상기 제2 개구부를 통해 상기 상전이 막으로 제2 광을 조사하여, 상기 상전이 막의 일부를 상전이시켜 홀로그램 영역을 형성하는 것을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 상전이 막은 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST: Ge2Sb2Te5)을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 홀로그램 영역은 결정질의 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST: Ge2Sb2Te5)을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 광은 레이저 광인 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 상전이 막 사이에 열 차단 막을 제공하는 것을 더 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 열 차단 막과 상기 상전이 막 사이에 광 반사 막을 제공하는 것을 더 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 광 반사 막은 Al, Mo 및 TiW 중 적어도 어느 하나를 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 하드 마스크 막은, 상기 상전이 막에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 하드 마스크 막은 금속 물질을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 개구부를 형성한 후, 상기 제1 개구부가 형성된 상기 포토레지스트 막을 제거하는 것; 그리고,상기 상전이 막으로 상기 제2 광을 조사한 후, 상기 제2 개구부가 형성된 상기 하드 마스크 막을 제거하는 것을 더 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 광은 상기 제2 광과 동일한 레이저 광인 홀로그램 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 포토 마스크는 상기 포토레지스트 막과 이격되는 홀로그램 제조 방법
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기판 상에 상전이 막을 제공하는 것;상기 상전이 막 상에 패턴 개구부를 갖는 포토 마스크를 제공하되, 상기 포토 마스크의 하면을 상기 상전이 막의 상면에 접촉시키는 것; 그리고상기 패턴 개구부를 통해 상기 상전이 막으로 레이저 광을 조사하여, 상기 상전이 막의 일부를 상전이시켜 홀로그램 영역을 형성하는 것을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 상전이 막은 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST: Ge2Sb2Te5)을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 홀로그램 영역은 결정질의 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST: Ge2Sb2Te5)을 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 기판과 상기 상전이 막 사이에 열 차단 막을 제공하는 것을 더 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 열 차단 막과 상기 상전이 막 사이에 광 반사 막을 제공하는 것을 더 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 광 반사 막은 Al, Mo 및 TiW 중 적어도 어느 하나를 포함하는 홀로그램 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 포토 마스크의 하면은 상기 상전이 막의 상면에 대응되는 홀로그램 제조 방법
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