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a) 성형용 챔버 및 온도 조절용 컨트롤러를 포함하는 고분자 캐스팅 장치를 제공하는 단계, 여기서 상기 성형용 챔버는, (i) 방열 팬 부재; (ii) 상기 방열 팬 부재 상에 위치하며 상기 컨트롤러에 의하여 조절되는 성형 온도 조건을 제공하는 히터 부재; (iii) 상기 히터 부재 상에 위치하는 하판 부재; (iv) 소정의 폭 및 두께를 가지면서 상기 하판 부재의 외주를 따라 위치하는 금속 재질의 중판 부재; (v) 상기 중판 부재의 두께에 의하여 형성된 내측 입체 공간의 하측 면 상에 장착되며, 반도체 제조 공정에 의하여 미세 패턴이 형성된 스탬프; 및 (vi) 상기 중판 부재와 접촉하며 배치되고, 액상의 고분자 성형 원료를 상기 내측 입체 공간 내로 도입하기 위한 주입용 관통 영역 및 성형 중 발생되는 가스를 배출하기 위한 벤팅용 관통 영역이 각각 형성된 상판 부재를 포함하고, 상기 상판 부재의 주입용 관통 영역은 착탈식으로 부착되는 시린지(syringe)와 유체 연통 가능하도록 구성됨;b) 이와 별도로 시린지에 액상의 고분자 성형 원료를 충진하는 단계;c) 상기 시린지 내에 충진된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 상판 부재의 주입용 관통 영역을 통하여 최대 1200 kgf/cm2의 주입 압력 하에서 상기 성형용 챔버의 내측 입체 공간으로 도입하는 단계;d) 상기 히터 부재에 의한 온도 조절 하에 상온 내지 300℃의 온도에서 상기 도입된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 성형용 챔버 내에서 스탬프의 미세 패턴에 따라 성형하여 미세유체 디바이스를 제조하는 단계; 및e) 상기 성형된 미세유체 디바이스를 상기 성형용 챔버로부터 분리하여 회수하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 스탬프는 100 내지 1000 ㎛ 두께를 갖는, Si, SiO2, 또는 Si 표면 상에 형성된 SiO2 재질의 웨이퍼 상에 미세 패턴이 형성된 것으로, 상기 미세 패턴은 10 내지 1000 nm의 깊이를 갖는 미세유체 디바이스를 제조하는 방법
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a’) 성형용 몰드를 포함하는 고분자 캐스팅 장치를 제공하는 단계, 여기서 상기 성형용 몰드는, (i) 각각의 내측에 오목 영역이 형성되고 서로 대향하며 부착되어 입체 공간을 형성하는 상판 부재 및 하판 부재; (ii) 상기 하판 부재의 오목 영역 상에 장착되며, 반도체 제조 공정에 의하여 미세 패턴이 형성된 스탬프; (iii) 상기 하판 부재의 오목 영역 아래에 위치하며 조절되는 성형 온도 조건을 제공하는 히터 부재; (iv) 상기 입체 공간 중 상기 스탬프 위의 공간에서 상하 이동 가능하도록 배치되는 이동식 판재; (v) 상기 이동식 판재의 하면과 상기 하판 부재 상에 장착된 스탬프 사이에 성형 영역이 형성되고, 액상의 고분자 성형 원료를 상기 성형 영역 내로 도입하도록 상기 상판 부재 및 상기 이동식 판재를 관통하여 형성된 주입용 튜브 부재; 및 (vi) 성형 중 발생되는 가스를 배출하기 위하여 상기 상판 부재 및 상기 이동식 판재를 관통하여 형성된 벤팅용 튜브 부재를 포함하고, 이때 상기 성형 영역의 높이를 조절하기 위하여, 상기 상판 부재는 상기 이동식 판재와 결합된 높이 조절 부재를 구비하며, 그리고 상기 주입용 튜브 부재는 착탈식으로 부착되는 시린지(syringe)와 유체 연통 가능하도록 구성됨;b’) 이와 별도로 시린지에 액상의 고분자 성형 원료를 충진하는 단계;c’) 상기 시린지 내에 충진된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 주입용 튜브 부재를 통하여 최대 1200 kgf/cm2의 주입 압력 하에서 상기 성형용 몰드의 성형 영역으로 도입하는 단계;d) 상기 히터 부재에 의한 온도 조절 하에 상온 내지 300℃의 온도에서 상기 도입된 액상의 고분자 성형 원료를 상기 성형용 몰드 내에서 스탬프의 미세 패턴에 따라 성형하여 미세유체 디바이스를 제조하는 단계; 및e) 상기 성형된 미세유체 디바이스를 상기 성형용 몰드로부터 분리하여 회수하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 스탬프는 100 내지 1000 ㎛ 두께를 갖는, Si, SiO2, 또는 Si 표면 상에 형성된 SiO2 재질의 웨이퍼 상에 미세 패턴이 형성된 것으로, 상기 미세 패턴은 10 내지 1000 nm의 깊이를 갖는 미세유체 디바이스를 제조하는 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스탬프는,(i) 반도체 공정용 기판 또는 웨이퍼를 제공하는 단계; 및(ii) 상기 기판 또는 웨이퍼에 대하여 일부 두께까지 선택적 에칭 처리함으로써 미세 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 방법
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제4항에 있어서, 상기 단계 (ii)는,상기 기판 또는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 전자빔 리소그래피, 집속 이온빔 리소그래피, 나노 임프린트법, SiO2 나노 파티클을 이용한 마스크 형성법, 또는 자기 응집성 금속 마스크법에 의하여 마스크를 패턴화한 다음, 반응성 이온 에칭법, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭 또는 화학적 이온 빔 에칭에 의하여 선택적 에칭을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 웨이퍼는 500 내지 550 ㎛ 두께를 갖는 4 인치(in) 웨이퍼, 645 내지 705 ㎛ 두께를 갖는 6 인치(in) 웨이퍼 또는 695 내지 755 ㎛ 두께를 갖는 8 인치(in) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미세 패턴의 종횡 비는 1 내지 50인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 주입용 관통 영역 및 벤팅용 관통 영역 각각의 직경은 1 내지 10 mm 및 0
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제1항에 있어서, 상기 하판 부재 및 중판 부재 각각은, 성형 온도에 따라 (i) 폴리프로필렌(PP), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)로 이루어진 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 고분자 재질, 또는 (ii) 알루미늄 및 니켈로 이루어진 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 금속 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제9항에 있어서, (i)의 경우에는 성형 온도가 상온 내지 100 ℃ 범위이고, (ii)의 경우에는 성형 온도가 100 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 상판 부재는 투명성의 글래스, 투명한 내열성 플라스틱 또는 석영 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 히터 부재는 열전 소자, 봉 히터(파이프 히터) 또는 러버 히터인 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 높이 조절 부재는 상기 상판 부재를 관통하여 장착된 스크류 타입의 부재로서, 상기 스크류의 회전 방향에 따라 이에 결합된 이동식 판재를 상측 또는 하측으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 방법
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제13항에 있어서, 상기 상판 부재의 하면과 상기 이동식 판재의 상면 사이의 공간 중 주연부 근처에 복수의 샤프트 부재를 더 구비하며,상기 샤프트 부재는 중공의 원통에 이동 샤프트가 관통하여 결합되어 축 방향으로 자유로운 직선 이동이 가능한 리니어 부시 타입인 것을 특징으로 하는 방법
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제14항에 있어서, 상기 스크류 타입의 부재는 상측에는 상하 조절용 손잡이가 장착되고, 또한 성형 영역에 대한 정밀한 높이 조절을 위하여 마이크로미터를 구비한 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 주입용 튜브 부재 및 상기 벤팅용 튜브 부재의 재질은 각각 폴리프로필렌(PP), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)이고, 이의 직경은 각각 1 내지 10 mm 및 0
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제1항에 있어서, 상기 하판 부재의 상면에는 상기 스탬프를 안착시키기 위한 오목부 또는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방법
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제17항에 있어서, 상기 중판 부재의 폭은 상기 스탬프의 모서리 영역을 덮는 치수를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자는 300 내지 20,000 cSt의 점도(25℃)를 갖고, 또한 ASTM 1238에 의하여 측정되는 용융지수가 0
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자는 폴리디메틸실록산(PDMS 또는 h-PDMS), 폴리메틸실록산, 부분 알킬화된 폴리메틸실록산, 폴리알킬메틸실록산, 폴리페닐메틸실록산 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘계 고분자인 것을 특징으로 하는 방법
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제20항에 있어서, 상기 고분자는 폴리디메틸실록산(PDMS 또는 h-PDMS)인 것을 특징으로 하는 방법
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