| 1 |
1
전처리 판독(PRE_RD) 펄스에 의해 구동되어 각 열 별로 감지된 기준 전압을 감지하는 전처리 판독기(PRE_RD)와, N X M 멤리스터로 구성되는 순수한 멤리스터 어레이로 이루어지고, 메인 판독기(MAIN_RD) 펄스에 의해 구동되어 상기 전처리 판독기(PRE_RD)에서 감지된 기준 전압을 이용하여 선택된 셀을 판독하는 메인 판독기(MAIN_RD)와, 상기 메인 판독기(MAIN_RD)에서 선택된 셀과 선택되지 않은 셀에서 각각 감지된 출력 전압을 열-라인별 기준 전압과 비교하여 열(column) 별로 기준 전압이 가장 낮은 저항 상태( 'L') 및 가장 높은 저항 상태( 'H')의 중간 전압으로 변경하는 열(column) 감지 증폭기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 전처리 판독기(PRE_RD)는 전처리 판독(PRE_RD) 펄스를 감지하여 동적 기준 전압을 감지하는 전처리 판독 드라이버(PRE)와, 상기 전처리 판독 드라이버(PRE)와 행으로 연결되어 열과 교차되는 행(row)에 각각 연결되는 배선 저항(RW)과, 상기 배선 저항(RW)이 열(column)과 교차되는 교차 지점에 연결되어 각 열 별로 감지된 기준 전압을 감지하는 감지 저항(P)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 열(column) 감지 증폭기는열(column) 별로 기준 전압을 입력받아 증폭하는 전류 전압 변환기(IV1)와,전류 전압 변환기에서 출력되는 출력 노드 전압을 스위칭하여 기준 전압 및 셀에서 감지된 출력 전압을 분리하는 제 1, 2 스위칭부(S1, S2)와, 상기 제 1 스위칭(S1)을 통해 입력되는 기준 전압을 저장하는 커패시터(C1)와, 셀에서 감지된 출력 전압의 출력과 동시에 커패시터(C1)에 저장된 기준 전압이 출력되도록 제어하는 제 3 스위칭부(S3)와, 제 2 스위칭부(S2)에서 출력되는 셀에서 감지된 출력 전압과, 제 3 스위칭부(S3)에서 출력되는 기준 전압을 비교하여 기준 전압을 변경하는 비교기(COMP1)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 전류 전압 변환기(IV1)는기준 전압을 입력으로 서로 직렬로 연결되는 제 1, 2 전류 전압 변환기(OP1)(OP2)와, 상기 제 1, 2 전류 전압 변환기(OP1)(OP2)의 입력단과 출력단에 각각 연결되는 제 1, 2 감지 저항(RSENSE)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로
|
| 5 |
5
(A) 전처리 판독기(PRE_RD)를 통해 전처리 판독(PRE_RD) 펄스가 하이(high) 일 때, 각 열 별로 상기 감지된 기준 전압을 감지하는 단계와,(B) 메인 판독기(MAIN_RD)를 통해 메인 판독(MAIN_RD) 펄스가 하이(high) 일 때, 선택된 셀의 저장 셀이 0 또는 1인지를 결정하기 위해 상기 (A) 단계에서 감지된 기준 전압을 읽어서 셀에서 각각 감지된 출력 전압과 비교하는 단계와,(C) 열(column) 감지 증폭기를 통해 상기 메인 판독기(MAIN_RD)에서 선택된 셀과 선택되지 않은 셀에서 각각 감지된 출력 전압을 열-라인별 기준 전압과 비교하여 열(column) 별로 기준 전압이 가장 낮은 저항 상태( 'L') 및 가장 높은 저항 상태( 'H')의 중간 전압으로 변경하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로의 구동방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 (A) 단계는전처리 판독(PRE_RD) 펄스를 감지하여 동적 기준 전압을 감지하는 단계와,상기 전처리 판독 드라이버(PRE)와 행으로 연결되어 열과 교차되는 행(row)에 각각 연결되는 배선 저항(RW)이 열(column)과 교차되는 교차 지점에 연결되어 각 열 별로 감지된 기준 전압을 감지하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로의 구동방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 (C) 단계는(C1) 열(column) 별로 기준 전압을 입력받아 증폭하는 단계와,(C2) 상기 증폭되는 출력 노드 전압을 스위칭하여 기준 전압 및 셀에서 감지된 출력 전압을 분리하는 단계와,(C3) 상기 스위칭을 통해 입력되는 기준 전압을 저장하는 단계와,(C4) 셀에서 감지된 출력 전압의 출력과 동시에 상기 저장된 기준 전압을 출력하는 단계와,(C5) 상기 출력되는 셀에서 감지된 출력 전압 및 저장되어 출력되는 기준 전압을 비교하여 기준 전압을 변경하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로의 구동방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 (C3) 단계는 (A) 단계인 전처리 판독(PRE_RD) 단계에서 감지된 기준 전압이 C1에 저장되고,상기 (C4) 단계는 (B) 단계인 메인 판독(MAIN_RD) 단계에서 셀에서 감지된 출력 전압의 출력과 상기 저장된 기준 전압을 동시에 출력되는 것을 특징으로 하는 저항 메모리 읽기 회로의 구동방법
|
