기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

공명 터널 소자 및 그 제조 방법(RESONANT TUNNELING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THERE OF)

기술번호 : KST2017015318
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 일 실시예에 따른 공명 터널 소자(resonant tunneling device)는 축퇴된 반도체층; 축퇴된 반도체층 상에 형성되는 제 1 무기물층; 제 1무기물층 상에 형성되는 유기물층; 및 유기물층 상에 형성되는 전극층을 포함하되, 유기물층은 불연속적인 복수의 에너지 준위를 갖도록 형성된다.
Int. CL	H01L 29/788 (2016.04.24) H01L 29/423 (2016.04.24) H01L 29/73 (2016.04.24) H01L 29/417 (2016.04.24) H01L 29/66 (2016.04.24)
CPC	H01L 29/7883(2013.01) H01L 29/7883(2013.01) H01L 29/7883(2013.01) H01L 29/7883(2013.01) H01L 29/7883(2013.01)
출원번호/일자	1020160033647 (2016.03.21)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2017-0109461 (2017.09.29) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2016.03.21)
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	박진홍	대한민국	경기도 화성
2	심재우	대한민국	경기도 부천시 원미구
3	이성주	대한민국	경기도 성남시 분당구
4	조정호	대한민국	서울특별시 강남구
5	우한영	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2016.03.21	수리 (Accepted)	1-1-2016-0271866-45
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.06.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0434243-26
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.08.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0807572-34
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2017-0807571-99
6	등록결정서 Decision to grant	2017.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0789230-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 공명 터널 소자(resonant tunneling device) 에 있어서,축퇴된 반도체층;상기 축퇴된 반도체층 상에 형성된 제 1 무기물층;상기 제 1무기물층 상에 형성된 유기물층; 및상기 유기물층 상에 형성된 전극층을 포함하되,상기 유기물층은 불연속적인 복수의 에너지 준위를 갖도록 형성된 것이고,상기 전극층에 양의 전압이 인가되는 경우, 상기 공명 터널 소자는 복수 개의 피크(peak)와 밸리(valley) 전류를 갖는 부성 저항 특성을 나타내는 것인 공명 터널 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 유기물층과 상기 전극층 사이에 형성된 제 2무기물층을 더 포함하는 것인 공명 터널 소자
3	3 제 2 항에 있어서,상기 유기물층은 상기 제 1 무기물층 및 제 2 무기물층 보다 두꺼운 것인 공명 터널 소자
4	4 제 2 항에 있어서,상기 제 1 무기물층 및 제 2 무기물층은 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 하프늄 옥사이드(HfO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO) 및 질화 갈륨(GaN) 중 적어도 하나 이상으로 이루어지는 것인 공명 터널 소자
5	5 제 1 항에 있어서,상기 유기물층은 PPDTBT, PPDTFBT 및 PPDT2FBT중 어느 하나의 고분자 중합체로 구성되는 것인 공명 터널 소자
6	6 제 1 항에 있어서,상기 축퇴된 반도체층이 n형 반도체층인 경우, 상기 복수의 에너지 준위 중 가장 높은 에너지 준위는 상기 축퇴된 반도체층의 페르미 준위보다 낮고, 상기 축퇴된 반도체층이 p형 반도체층인 경우, 상기 복수의 에너지 준위 중 가장 낮은 에너지 준위는 상기 축퇴된 반도체층의 페르미 준위보다 높은 것인 공명 터널 소자
7	7 제 1 항에 있어서,상기 복수의 에너지 준위를 구성하는 제 1 및 제 2 에너지 준위 간의 간격은 0
8	8 삭제
9	9 공명 터널 소자(resonant tunneling device)의 제조 방법에 있어서,축퇴된 반도체층을 형성하는 단계;상기 축퇴된 반도체층 상에 제 1 무기물층을 형성하는 단계;상기 제1 무기물층 상에 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 유기물층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 유기물층은 불연속적인 복수의 에너지 준위를 갖도록 형성된 것이고,상기 공명 터널 소자의 제조 방법에 의해 제조된 상기 공명 터널 소자는상기 전극층에 양의 전압이 인가되는 경우, 복수 개의 피크(peak)와 밸리(valley) 전류를 갖는 부성 저항 특성을 나타내는 것인 공명 터널 소자의 제조 방법
10	10 제 9항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계와 전극층을 형성하는 단계 사이에,상기 유기물층 상에 제 2 무기물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 공명 터널 소자의 제조 방법
11	11 제 10항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 유기물층은 상기 제 1 무기물층 및 제 2 무기물층 보다 두껍게 형성되는 것인 공명 터널 소자의 제조 방법
12	12 제 9 항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계에서상기 유기물층은 PPDTBT, PPDTFBT 및 PPDT2FBT중 어느 하나의 고분자 중합체로 구성되는 것인 공명 터널 소자의 제조 방법
13	13 제 9 항에 있어서,상기 유기물층을 형성하는 단계에서상기 축퇴된 반도체층이 n형 반도체층인 경우, 상기 복수의 에너지 준위 중 가장 높은 에너지 준위는 상기 축퇴된 반도체층의 페르미 준위보다 낮고, 상기 축퇴된 반도체층이 p형 반도체층인 경우, 상기 복수의 에너지 준위 중 가장 낮은 에너지 준위는 상기 축퇴된 반도체층의 페르미 준위보다 높은 것인 공명 터널 소자의 제조 방법
14	14 제 9 항에 있어서,상기 복수의 에너지 준위를 구성하는 제 1 및 제 2 에너지 준위 간의 간격은 0
15	15 삭제

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	성균관대학교(자연과학캠퍼스)	창의소재디스커버리사업	다중 에너지 준위 유·무기 초분자구조체 소재를 활용한 소재/소자 통합형 동시설계 기반 다치로직 소자기술
2	미래창조과학부	성균관대학교(자연과학캠퍼스)	선행공정·플랫폼기술연구개발사업	M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발
3	미래창조과학부	성균관대학교(자연과학캠퍼스)	중견연구자지원	사물인터넷 소자용 그래핀/전이금속칼코겐 화합물 기반 저전력 반도체소자 원천기술개발

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2016.03.21	수리 (Accepted)	1-1-2016-0271866-45
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43
3	의견제출통지서	2017.06.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0434243-26
4	[명세서등 보정]보정서	2017.08.21	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0807572-34
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.08.21	수리 (Accepted)	1-1-2017-0807571-99
6	등록결정서	2017.11.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0789230-69

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2023010191][성균관대학교]	접합 구조 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 컴퓨팅 장치	새창보기
[KST2020016351][성균관대학교]	2차원 반도체 물질을 포함하는 공명 터널링 소자 및 이를 이용한 물리적 특성의 검출방법	새창보기
[KST2018001748][성균관대학교]	이차원 물질층을 포함하는 전자 소자(An electronic device comprising two dimensional material)	새창보기
[KST2023008061][성균관대학교]	반도체 장치	새창보기
[KST2018016375][성균관대학교]	부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2019004524][성균관대학교]	트랜지스터 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2020005846][성균관대학교]	비정질 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2019019545][성균관대학교]	반도체소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2023007447][성균관대학교]	이차원 물질을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2018001751][성균관대학교]	사이리스터(THYRISTOR)	새창보기
[KST2021012040][성균관대학교]	1차원 측면 접합을 갖는 반도체 소자	새창보기
[KST2019012071][성균관대학교]	반도체 장치 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2018015144][성균관대학교]	비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2024000261][성균관대학교]	2차원 물질 분산액을 이용하여 잉크젯 프린팅된 반도체 소자 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2017007327][성균관대학교]	이차원 물질을 포함한 반도체 소자(SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING TWO-DIMENSIONAL MATERIAL)	새창보기
[KST2018011365][성균관대학교]	박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2024000280][성균관대학교]	집적회로 소자 제조방법	새창보기
[KST2021001878][성균관대학교]	반도체 메모리 장치	새창보기
[KST2022009052][성균관대학교]	다중 영미분 전달전도 특성을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2020016668][성균관대학교]	반도체 소자 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2016017290][성균관대학교]	그래핀의 도핑 방법(DOPING METHOD OF GRAPHENE)	새창보기
[KST2022008313][성균관대학교]	수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리	새창보기
[KST2016017980][성균관대학교]	2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법(Electronic device using 2-dimensional material and method of manufacturing the same)	새창보기
[KST2017015319][성균관대학교]	트랩층을 포함하는 부성 미분 저항 소자 및 그 제조 방법(NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE INCLUDING TRAP LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD)	새창보기
[KST2019023165][성균관대학교]	터널링 전계효과 트랜지스터	새창보기
[KST2016012295][성균관대학교]	그래핀 양자점 박막, 이의 제조 방법, 및 상기 그래핀 양자점 박막을 이용하는 박막 트랜지스터(GRAPHENE QUANTUM-DOT THIN FILM, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME)	새창보기
[KST2020011578][성균관대학교]	3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자	새창보기
[KST2019008365][성균관대학교]	전계효과 트랜지스터의 제조 방법	새창보기
[KST2019017307][성균관대학교]	반도체 장치 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2021009422][성균관대학교]	그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체 및 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.