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마이크로웨이브 PECVD 장치의 챔버 내부에 삽입되는 쿼츠 튜브;상기 쿼츠 튜브의 내부 중심을 지나는 안테나;상기 쿼츠 튜브 내부의 일정 영역에 구성되어 마이크로웨이브 전력전달 면적을 조절하는 마이크로웨이브 전력전달 면적 제어 구조체;를 포함하고,안테나를 통하여 전력이 공급되면 마이크로웨이브 전력전달 면적 제어 구조체에 의해 플라즈마 발생 면적이 조절되어 쿼츠 튜브의 표면에 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 전력전달 면적 제어 구조체는,금속 재질로 이루어져 상기 쿼츠 튜브 내부의 일정 영역에 구성되어 마이크로웨이브 전력전달 면적을 조절하는 안테나 가이드인 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 안테나 가이드가 설치되는 영역의 쿼츠 튜브 표면에는 마이크로웨이브 전력이 전달되지 않고, 안테나 가이드가 없는 쿼츠 튜브 표면에만 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 전력전달 면적 제어 구조체는,상기 쿼츠 튜브에 일정 간격으로 이격되어 복수 개 형성되는 컨덕터(conductor)들인 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 컨덕터들이 설치되는 영역의 쿼츠 튜브 표면에는 마이크로웨이브 전력전달이 일어나지 않고, 컨덕터들이 없는 쿼츠 튜브 표면에만 마이크로웨이브 전력전달이 일어나 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서, 플라즈마를 생성시키기 위해 캐리어 가스가 공급되는 가스 튜브(gas tube)가 쿼츠 튜브를 향해 설치되고,기판에 가스종들의 리액션(reaction) 반응을 통한 증착이 이루어지게 하기 위해 프로세싱(processing) 가스가 들어가는 가스 튜브(gas tube)가 기판(substrate) 쪽으로 향하여 설치되는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로웨이브 전력전달 면적 제어 구조체를 포함하는 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 병렬로 복수개 설치하여 플라즈마 발생 면적을 넓히는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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마이크로웨이브 PECVD 장치의 챔버 내부에 삽입되는 쿼츠 튜브;상기 쿼츠 튜브의 내부 중심을 지나는 안테나;금속 재질로 이루어져 상기 쿼츠 튜브 내부의 일정 영역에 구성되어 마이크로웨이브 전력전달 면적을 조절하는 안테나 가이드;를 포함하고,안테나를 통하여 전력이 공급되면 상기 안테나 가이드에 의해 플라즈마 발생 면적이 조절되어 쿼츠 튜브의 표면에 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 안테나 가이드는,상기 쿼츠 튜브의 내부 전체 영역에서 안테나 가이드가 설치되는 영역과 설치되지 않는 영역이 쿼츠 튜브의 어느 하나의 단면에서 같이 존재하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 8 항에 있어서, 안테나 가이드가 설치되는 영역의 쿼츠 튜브 표면에는 마이크로웨이브에서 플라즈마로의 전력전달이 일어나지 않고, 안테나 가이드가 없는 쿼츠 튜브 표면에는 마이크로웨이브에서 플라즈마로의 전력전달이 되어 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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마이크로웨이브 PECVD 장치의 챔버 내부에 삽입되는 쿼츠 튜브;상기 쿼츠 튜브의 내부 중심을 지나는 안테나;상기 쿼츠 튜브에 일정 간격으로 이격되어 복수 개 형성되는 컨덕터(conductor)들;을 포함하고,안테나를 통하여 전력이 공급되면 상기 컨덕터들에 의해 플라즈마 발생 면적이 조절되어 쿼츠 튜브의 표면에 플라즈마가 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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제 11 항에 있어서, 상기 컨덕터들이 설치되는 영역의 쿼츠 튜브 표면에는 마이크로웨이브 전력전달이 일어나지 않고, 컨덕터들이 없는 쿼츠 튜브 표면에만 마이크로웨이브 전력전달이 일어나 플라즈마가 용이하게 발생하는 것을 특징으로 하는 균일한 플라즈마 발생을 위한 선형 마이크로웨이브 플라즈마 장치
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