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그래핀 층; 상기 그래핀 층 사이에 위치하는 나노입자; 및상기 그래핀 층의 모서리에 화학 결합되고 상기 모서리 또는 모서리의 바깥에 위치하는 전도성 고분자;를 포함하고,상기 그래핀 층은 환원된 산화그래핀(reduced graphine oxide, rGO)을 포함하고,상기 나노입자는 염화은, 염화금, 염화백금, 염화망간, 염화철, 및 염화아연 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 나노복합체
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 층이 환원된 산화그래핀(reduced graphine oxide, rGO), 산화그래핀, 그래핀, 보로핀(Borophene), 게르마닌(Germanene), 실리센(Silicene), 스타닌(Stanine), 포스포린(Phosphorene), 흑인(Black phosphorous), 이황화 텅스텐(Tungsten(IV) disulfide), 이황화 몰리브덴(Molybdenum disulfide), 셀렌화 텅스텐(Tungsten selenide), 셀렌화 비스무트(Bismuth selenide) 및 카드뮴 수은 텔루르 화합물(Cadmium mercury telluride) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합체
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삭제
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제1항에 있어서,상기 나노입자가 염화은인 것을 특징으로 하는 나노복합체
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자가 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리아세틸렌, 폴리아세탈, 폴리파라페닐렌, 폴리이소티아나프텐, 폴리파라페닐렌 및 이들의 유도체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합체
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제6항에 있어서,상기 전도성 고분자가 폴리아닐린을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합체
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제1항에 있어서,상기 그래핀 층의 평균 층 두께가 0
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(a) 그래핀 층 사이에 나노입자를 위치시켜 그래핀/나노입자 복합체를 제조하는 단계; 및(b) 상기 그래핀/나노입자 복합체에 포함되는 그래핀 층의 모서리에 전도성 고분자를 결합시키고 상기 모서리 또는 모서리의 바깥에 위치시키는 단계;를 포함하는 나노복합체의 제조방법이고,상기 나노복합체가 제1항의 나노복합체인 것인 나노복합체의 제조방법
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제9항에 있어서,단계 (a) 이후에 (a-1) 상기 나노입자를 성장시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합체의 제조방법
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제10항에 있어서,단계 (b) 이전에 (b') 상기 그래핀 층의 모서리를 개질시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합체의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (a-1) 및 단계 (b')가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 나노복합체의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 (a-1) 및 단계 (b')가 염화티오닐(SOCl2), 카보닐디클로라이드(COCl2), 삼염화인(PCl3), 오염화인(PCl5), 브로민 및 아이오딘 중에서 선택된 1종 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노복합체의 제조방법
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