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기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된, (a) p-타입 유기 반도체 재료, (b) n-타입 유기 반도체 재료 및 (c) 용매를 포함하는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성된 상부 전극을 포함하고,상기 (a) p-타입 유기 반도체 재료는 (a-1) 하기 화학식 1로 표시되는 제1 유기 반도체 재료;와 (a-2) 하기 화학식 2로 표시되는 제2 유기 반도체 재료;를 포함하되, 상기 (a-1) 제1 유기 반도체 재료와 (a-2) 제2 유기 반도체 재료의 혼합 중량비가 1:0
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제1항에 있어서,상기 화학식 1에서상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 직쇄의 알킬기이며,상기 R3 및 R4는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 탄소수 8 내지 22의 분지쇄의 알킬기이며,상기 화학식 2에서 상기 R3 및 R4는 서로 같거나 상이하며 각각 독립적으로 탄소수 8 내지 22의 직쇄의 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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3
제2항에 있어서,상기 화학식 1에서,상기 R1 및 R2가 서로 대칭이면서, 서로 동일한 구조를 갖는 경우,상기 R3 및 R4도 서로 대칭이면서, 서로 동일한 구조를 가지며,상기 화학식 2에서, 상기 R5 및 R6도 서로 대칭이면서 서로 동일한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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4
제1항에 있어서,상기 화학식 1에서 상기 X1, X2, X3 및 X4는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소 또는 F인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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5
제1항에 있어서,상기 (a-1) 제1 유기 반도체 재료는 1000 내지 2000 g/㏖의 분자량을 갖는 저분자 화합물이고, 상기 (a-2) 제2 유기 반도체 재료는 50,000 내지 100,000 g/㏖의 분자량을 갖는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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6
제1항에 있어서,상기 (a-1) 제1 유기 반도체 재료는 하기 화학식 3 내지 7로 표시되는 저분자 화합물 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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7
제1항에 있어서,상기 (b) n-타입 유기 반도체 재료는 메틸(6,6)-페닐-C61-부티레이트(PC60BM), (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르(C60-PCBM), (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르(C70-PCBM), (6,6)-페닐-C77-부티릭에시드 메틸에스테르(C76-PCBM), (6,6)-페닐-C79-부티릭에시드 메틸에스테르(C78-PCBM), (6,6)-페닐-C81-부티릭에시드 메틸에스테르(C80-PCBM), (6,6)-페닐-C83-부티릭에시드 메틸에스테르(C82-PCBM), (6,6)-페닐-C85-부티릭에시드 메틸에스테르(C84-PCBM), 비스(1-[3-(메톡시카르보닐)프로필]-1-페닐)(Bis-C60-PCBM), 3'-페닐-3'H-시클로프로파(8,25)(5,6)플러렌-C70-비스-D5h(6)-3'-부티르산 메틸 에스테르(Bis-C70-PCBM), 인덴-C60-비스어덕트(ICBA), 모노인덴닐C60(ICMA) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제1항에 있어서,상기 클로로벤젠과 1,8-다이아이오도옥테인의 혼합 부피비는 1 : 0
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Ⅰ) 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;Ⅱ) (a-1) 하기 화학식 1로 표시되는 제1 유기 반도체 재료;와 (a-2) 하기 화학식 2로 표시되는 제2 유기 반도체 재료; (b) n-타입 유기 반도체 재료; 및 (c) 용매;를 혼합하여 제1 용액을 제조하는 단계;Ⅲ) 상기 제1 용액을 상기 하부 전극 상에 코팅하여 광활성층을 형성하는 단계; 및Ⅳ) 상기 광활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 Ⅱ) 단계에서 상기 (a-1) 제1 유기 반도체 재료와 (a-2) 제2 유기 반도체 재료는 중량비 1:0
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제10항에 있어서,상기 클로로벤젠과 1,8-다이아이오도옥테인의 혼합 부피비는 1 : 0
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제10항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계는 스핀코팅 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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