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신틸레이터 층; 및 광 검출부를 포함하며, 상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부는 각각 독립적으로 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 층을 포함하며,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부 각각에 포함되는 상기 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 서로 상이한 것을 포함하는 것인,X-선 검출 디바이스:[화학식 1]RMX3 [화학식 2]R2MX4상기 화학식 1 및 화학식 2 각각에서 독립적으로, M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 신틸레이터 층은 X-선을 가시광선으로 변환시키는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 신틸레이터 층으로부터 방출된 가시광선을 전기 신호로 변환시키는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부에 각각 포함된 상기 유무기 복합 페로브스카이트의 결정의 층은 각각 독립적으로 100 μm 이상의 두께를 가지는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부에 각각 포함된 상기 유무기 복합 페로브스카이트의 결정의 층은 각각 필름 형태를 포함하는 것인, X-선 검출 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 신틸레이터 층의 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 RMBr3, RMCl3, 또는 R2MX4를 포함하고,상기 광 검출부의 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 RMI3를 포함하는 것이고,상기 R, M, 및 X는 제 1 항에 정의된 바와 같은 것인, X-선 검출 디바이스
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신틸레이터 층;광 검출부;및 상기 광 검출부로부터 전달되는 전기적 신호를 판독하는 데이터 검출부를 포함하며, 상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부는 각각 독립적으로 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 유무기 복합 페로브스카이트 결정의 층을 포함하며,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부의 상기 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 서로 상이한 것을 포함하는 것인, X-선 검출 장치:[화학식 1]RMX3 [화학식 2]R2MX4상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, M은 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Pb2+, Sn2+, Ge2+, Bi3+, Sb3+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,R은 유기 양이온이고,X는 음이온을 포함하는 것임
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제 9 항에 있어서,상기 화학식 1 및 상기 화학식 2 각각에서 독립적으로, R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 화학식 1 및 화학식 2 각각에서 독립적으로, X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 신틸레이터 층은 X-선을 가시광선으로 변환시키는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 광 검출부는 상기 신틸레이터 층으로부터 방출된 가시광선을 전기 신호로 변환시키는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부에 각각 포함된 상기 유무기 복합 페로브스카이트의 결정의 층은 각각 100 μm 이상의 두께를 가지는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 신틸레이터 층 및 상기 광 검출부에 각각 포함된 상기 유무기 복합 페로브스카이트의 결정의 층은 각각 필름 형태를 포함하는 것인, X-선 검출 장치
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제 9 항에 있어서,상기 신틸레이터 층의 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 RMBr3, RMCl3, 또는 R2MX4를 포함하고,상기 광 검출부의 유무기 복합 페로브스카이트 물질은 RMI3를 포함하며,상기 R, M, 및 X는 제 9 항에 정의된 바와 같은 것인, X-선 검출 장치
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