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저온 증착에 의해 형성된 이산화 바나듐 박막을 포함하는 스마트 글래스 및 그의 제조 방법(smart glass including vanadium dioxide film formed by low-temperature deposition and method for manufacturing thereof)

  • 기술번호 : KST2017015651
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스마트 글래스 및 그의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 스마트 글래스는 베이스 기판, 베이스 기판 상에 형성된 TiO2층 및 TiO2층 상에 형성되어 250℃ 이하의 온도에서 증착 및 열처리된 이산화 바나듐 박막을 포함한다.
Int. CL C03C 17/34 (2017.09.16) C03C 17/245 (2017.09.16) C03C 17/23 (2017.09.16)
CPC
출원번호/일자 1020170115231 (2017.09.08)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0113502 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0037465 (2016.03.29)
관련 출원번호 1020160037465
심사청구여부/일자 Y (2017.09.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호선 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정대호 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 소현섭 대한민국 경기도 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0874844-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0848209-27
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0125132-96
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0125118-56
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0410791-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0713480-40
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.07.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0713496-70
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0538108-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0990133-97
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0990152-54
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0739161-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 형성된 SiO2로 이루어진 확산 방지층;상기 확산 방지층 상에 형성된 TiO2로 이루어진 씨드층; 및 상기 씨드층 상에 250℃ 이하의 온도에서 증착 및 열처리되어 형성된 이산화 바나듐 박막을 포함하고,상기 이산화 바나듐 박막은 44
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 이산화 바나듐 박막은, DC/RF 반응성 마그네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 250℃ 온도와 6mTorr의 아르곤(Ar) 분위기에서 바나듐 타겟에 120W 파워를 인가하여 80㎚로 증착되며, 250℃ 이하의 산소(O2) 분위기에서 열처리된, 스마트 글래스
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101792403 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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