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이온성 젤 미세 패턴 형성 방법(METHODS FOR FORMING FINE ION-GEL PATTERNING)

  • 기술번호 : KST2017015658
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법은 기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 패터닝 공정을 통해 포토레지스트층에 소정 패턴을 가진 몰드를 형성하는 단계; 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01P 7/08 (2017.03.31) H03C 7/02 (2017.03.31) H01L 41/09 (2017.03.31) H01L 41/22 (2017.03.31)
CPC
출원번호/일자 1020170038565 (2017.03.27)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0113285 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160036044   |   2016.03.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호진 대한민국 서울특별시 강남구
2 강문성 대한민국 서울특별시 종로구
3 정현승 대한민국 서울특별시 마포구
4 허은아 대한민국 인천광역시 계양구
5 구재목 대한민국 서울특별시 종로구
6 이원우 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 조보은 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0300147-41
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0303142-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0629718-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0629717-72
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0759449-47
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번호 청구항
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이온성 젤 미세 패턴 형성 방법에 있어서,기판에 포토레지스트층을 형성하는 단계;패터닝 공정을 통해 상기 포토레지스트층에 소정 패턴의 제 1 몰드를 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 포토레지스트층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 제거하여 제 2 몰드를 형성하는 단계; 상기 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계; 및상기 이온성 젤 전구체를 경화시키는 단계를 포함하되,상기 제 2 몰드를 형성하는 단계는 상기 포토레지스트층의 제거시에 상기 제 1 몰드에 형성된 공동과 대응되는 영역의 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막을 유지시켜 상기 제 2 몰드가 형성되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 자가조립 단층막 또는 자가조립 분자박막은 소수성을 가지고, 상기 포토레지스트층이 제거된 기판은 친수성을 가지는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 이온성 젤 전구체의 경화후 상기 제 2 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 몰드에 형성된 공동에 이온성 젤 전구체를 충진하는 단계는스핀 코팅, 드랍 캐스팅, 또는 인쇄 방법에 따라 수행되는 것인 이온성 젤 미세 패턴 형성 방법
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