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실리콘기판의 일면에 불순물 확산을 위한 개구부를 형성하는 제1단계;상기 개구부를 통해 불순물을 상기 실리콘기판 내부로 확산시키는 제2단계;상기 불순물이 확산된 상기 실리콘기판 상에 곡면형태의 감광막을 형성하는 제3단계; 및 상기 감광막 및 상기 실리콘기판을 반응성 이온식각(reactive ion etching)을 이용하여 식각하여 제1실리콘볼록렌즈를 형성하는 제4단계;를 포함하며,상기 제3단계는 리플로우(reflow)을 통해 상기 곡면형태의 감광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1단계:는상기 실리콘기판상에 불순물 확산방지층을 형성하는 제1-1단계; 및상기 불순물 확산방지층을 식각하여 불순물 확산을 위한 개구부를 형성하는 제1-2단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 불순물 확산방지층은 유전층인 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 불순물 확산방지층은 SiO2층인 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제2단계:는상기 실리콘기판의 표면에 불순물층 형성하는 제2-1단계; 및상기 불순물층을 열처리하여 상기 개구부를 통해 불순물을 상기 실리콘기판 내부로 확산시키는 제2-2단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2단계는 제2실리콘볼록렌즈 형태가 형성되도록 상기 불순물을 상기 실리콘기판 내부로 확산시키는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 불순물은 붕소(B), 인(P) 또는 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 실리콘기판과 상기 제1실리콘볼록렌즈 및 상기 제2실리콘볼록렌즈는 1×1019㎝-3 이상의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제2단계 후,개구부가 형성된 상기 불순물 확산방지층을 제거하는 2-a단계;상기 불순물 확산방지층이 제거된 상기 실리콘기판 전면에 불순물층을 형성하는 2-b단계; 및상기 불순물층을 열처리하여 불순물을 상기 실리콘기판 내부 전체로 확산시키는 제2-c단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 감광막은 상기 제1실리콘볼록렌즈와 서로 동일한 형상에 동일한 곡률로 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 감광막은 상기 제1실리콘볼록렌즈와 서로 상이한 형상에 상이한 곡률로 형성하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제4단계 후상기 실리콘기판 중 상기 불순물이 확산되지 않은 영역을 제거하는 제5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 제5단계는 상기 실리콘기판 중 상기 불순물이 확산된 영역만을 선택적으로 남겨놓도록 선택적 습식식각 용액을 이용하여 상기 불순물이 확산되지 않은 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 양면 실리콘렌즈의 제조방법
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