| 1 |
1
전해질 막; 및전극층; 을 포함하고,상기 전극층과 상기 전해질 막 사이에 버퍼층(buffer layer)을 포함하는, 막-전극 접합체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 버퍼층(buffer layer)은, 탄소 물질, 귀금속이 담지된 탄소 물질 또는 다공성 귀금속층을 포함하는 것인, 막-전극 접합체
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 탄소 물질은, 흑연, 카본 블랙, 탄소 분말, 탄소 나노튜브, 탄소 나노섬유 및 탄소 나노로드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 막-전극 접합체
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 탄소 물질에 담지된 귀금속 또는 상기 다공성 귀금속층을 형성하는 귀금속은, Au, Ag, Pd, Ir, Ru, 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 막-전극 접합체
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 탄소 물질에 담지된 귀금속 또는 상기 다공성 귀금속층을 형성하는 귀금속은, 분말, 와이어, 또는 이 둘의 형태를 포함하고, 1 nm 내지 10 nm 의 직경을 갖는 것인, 막-전극 접합체
|
| 6 |
6
제2항에 있어서,상기 귀금속이 담지된 탄소 물질은, 상기 탄소 물질 100 중량부에 대해 5 내지 60 중량부로 귀금속이 담지되고, 100 nm 이하의 직경을 갖는 것인, 막-전극 접합체
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 버퍼층(buffer layer)은 0 초과 및 10 % 이하의 공극률을 갖는 것인, 막-전극 접합체
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 버퍼층(buffer layer)은, 100 nm 내지 2 ㎛ 두께를 갖는 것인, 막-전극 접합체
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 버퍼층(buffer layer)은, 바인더를 더 포함하고, 상기 바인더는, 상기 전해질 막에 포함되는 성분 중 1종 이상을 포함하는 것인, 막-전극 접합체
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 전극층은, 캐소드층, 애노드층 또는 이 둘인 것인, 막-전극 접합체
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 캐소드층은, 지지체에 촉매 금속이 담지된 촉매층을 포함하고, 상기 촉매 금속은, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Se, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, W, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Pb, Ru 및 Bi으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 막-전극 접합체
|
| 12 |
12
전해질 막의 일면 또는 양면에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층(buffer layer) 상에 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 막-전극 접합체의 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계는,기재 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계; 및전해질 막의 일 면 또는 양면에 상기 버퍼층(buffer layer)을 전사하는 단계; 를 포함하는 것인, 막-전극 접합체의 제조방법
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 전극층을 형성하는 단계는, 10 MPa 내지 40 MPa의 압력하에서 수행되는 것인, 막-전극 접합체의 제조방법
|
