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하기 화학식 2로 나타낸 열활성 지연형광 재료:[화학식 2]상기 화학식 2에서, R7 내지 R12는, 서로에 관계없이, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기이고; R7 및 R8, R9 및 R10, 또는 R11 및 R12는 선택적으로(optionally) 이들이 부착된 질소와 함께 합쳐져 치환 또는 비치환된 헤테로사이클릴 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴을 형성하고;R34 내지 R45는 서로에 관계없이 수소원자, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 또는 설폰기이다
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제1항에 있어서,상기 화학식 2에서, R34 내지 R45는 서로에 관계없이 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C4-C6 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C15의 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C3 알킬기인 열활성 지연형광 재료
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제1항에 있어서,상기 화학식 2에서, -NR7R8, -NR9R10, 및 -NR11R12는 서로에 관계없이 하기 구조식 A1 내지 A45 중 어느 하나인 열활성 지연형광 재료:상기 구조식 A1 내지 A45에서,R1은, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기이고,R11 내지 R14는, 서로에 관계없이, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-C2 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기이고,Sub1 내지 Sub4는, 서로에 관계없이, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드, 또는 치환 또는 비치환된 설폰기이다
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제3항에 있어서,상기 화학식 2에서, -NR7R8, -NR9R10, 및 -NR11R12는 서로에 관계없이 하기 구조식 A6, A8, A9 또는 A10인 열활성 지연형광 재료:
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제1항에 있어서,상기 화학식 2로 나타낸 화합물은 하기 화학식 3 내지 8 중 어느 하나의 화학식으로 나타낸 화합물인 열활성 지연형광 재료:[화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8]상기 화학식들 3 내지 8에서,R34 내지 R45은 상기 화학식 2에서 정의된 바와 같고,R11 및 R12는, 서로에 관계없이, 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C2 알킬기이고,Sub1 및 Sub2는, 서로에 관계없이, 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 -NRcRd, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 포스핀기, 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드, 치환 또는 비치환된 설폰기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴실릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아르알킬기이고; Sub1 내지 Sub2는 서로에 관계없이 선택적으로(optionally) 이들이 결합된 본체에 융합되어(fused) 치환 또는 비치환된 사이클릴 또는 치환 또는 비치환된 아릴을 형성하고,상기 Rc 및 Rd는, 서로에 관계없이, 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아르알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기이고; Rc 및 Rd는 선택적으로(optionally) 이들이 부착된 질소와 함께 합쳐져 치환 또는 비치환된 헤테로사이클릴 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴을 형성한다
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제1항에 있어서,상기 화학식 2로 나타낸 화합물은 하기 화합물 1 내지 32 중 어느 하나인 열활성 지연형광 재료:
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차례로 적층된 애노드, 정공전도층, 발광층, 전자전도층, 캐소드를 포함하는 유기발광다이오드에 있어서,상기 정공전도층, 상기 발광층 및 상기 전자전도층 중 어느 하나는 청구항 1의 재료를 포함하는 유기발광다이오드
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제7항에 있어서,상기 발광층은 청구항 1의 재료를 포함하는 유기발광다이오드
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제8항에 있어서,상기 발광층은 호스트 물질과 도펀트 물질을 포함하고,상기 도펀트 물질은 청구항 1의 재료를 포함하는 유기발광다이오드
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제8항에 있어서,상기 발광층은 호스트 물질과 도펀트 물질을 포함하고,상기 호스트 물질은 청구항 1의 재료를 포함하는 유기발광다이오드
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제8항에 있어서,상기 발광층은 청구항 1의 재료 단독으로 형성된 유기발광다이오드
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