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(a) 팽윤 용액으로 기저막을 표면 처리하여 상기 기저막의 친수성 영역 또는 소수성 영역의 고분자 사슬간의 간격을 증가시키는 단계; (b) 이온 교환기를 갖는 모노머가 포함된 용액을 상기 팽윤된 기저막에 도포하여 중합 반응을 수행하는 단계; 및(c) 이온 교환기가 도입된 기저막을 팽윤 용액으로 다시 처리하여 안정화시키는 단계를 포함하며,상기 팽윤 용액은 친수성 영역의 고분자 사슬간의 간격을 증가시키는 제1팽윤용액과 소수성 영역의 고분자 사슬간의 간격을 증가시키는 제2팽윤용액의 혼합물이고, 상기 제1팽윤용액과 제2팽윤용액의 혼합비를 변화시키면서 순차적으로 기저막을 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 이온 교환기를 갖는 모노머는 에틸렌계 불포화 결합을 함유하는 작용기, 하이드록시기, 아민기, 아미노기, 아미드기, 카르복실기, 황산기, 탄산기, 인산기, 토실기 및 알데히드기 중에서 선택된 하나 이상의 반응성 작용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 아민기를 포함하는 모노머는 1차 아민, 2차 아민, 3차 아민, 방향족 아민 또는 헤테로고리 아민 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 이온 교환기를 갖는 모노머는 아크릴계 모노머, 메타크릴계 모노머 및 올레핀계 모노머로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기저막은 폴리(퍼플루오로술폰산), 폴리(퍼플루오로카르복실산)술폰산기를 포함하는 테트라플루오로에틸렌과 플루오로비닐에테르의 공중합체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 불소계 고분자막인 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기저막은 술폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아릴에테르술폰, 술폰화 폴리에테르에테르케톤, 술폰화 폴리벤즈이미다졸, 술폰화 폴리술폰, 술폰화 폴리스티렌, 술폰화 폴리포스파젠, 술폰화 폴리에테르에테르술폰, 술폰화 폴리에테르술폰, 술폰화 폴리에테르벤즈이미다졸, 술폰화 폴리아릴렌에테르케톤, 술폰화 폴리에테르케톤, 술폰화 폴리스타이렌, 술폰화폴리이미다졸, 술폰화 폴리에테르케톤케톤, 폴리아릴에테르벤즈이미다졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 탄화수소계 고분자막인 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1팽윤용액은 물, 메탄올, 에탄올, 노르말 프로판올, 아이소프로판올 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 제2팽윤용액은 톨루엔, 자일렌, 벤젠, 에틸벤젠 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 팽윤 용액으로 기저막의 표면을 처리하는 과정은 1 내지 24 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 모노머가 포함된 용액은 가교제, 반응용 촉매, 라디칼 개시제, 용매 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 모노머가 포함된 용액을 기저막에 도포하는 방식은 스프레이 코팅법, 함침법, 캐스팅법, 브러시법 중에서 선택하여 수행하는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 중합 반응은 광경화 또는 열경화 과정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 이온 교환막의 제조방법
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제1항에 따른 제조 방법에 따라 제조된 이온 교환막
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