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펠리클의 검사 장치 및 그 검사 방법(Testing device for pellicle and method for testing using same)

  • 기술번호 : KST2017015758
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광원부가 다층 박막 거울에 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을 조사하고, 검출부가 상기 다층 박막 거울로부터 반사된 제1 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계, 상기 다층 박막 거울 상에 펠리클(pellicle)을 배치하는 단계, 상기 광원부가 상기 펠리클에 상기 EUV 광을 조사하고, 상기 검출부가 상기 펠리클을 투과한 후 상기 다층 박막 거울에 반사되어 상기 펠리클을 재투과하는 제2 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 EUV 광을 통해 상기 펠리클의 투과도를 산출하여 상기 펠리클의 불량 여부를 평가하는 단계를 포함하되, 상기 펠리클을 상기 다층 박막 거울 상에 위치한 펠리클 스테이지(pellicle stage) 상에, 상기 다층 박막 거울과 이격 배치시켜, 상기 펠리클의 접촉으로 인한 상기 다층 박막 거울의 오염 및 손상을 최소화하는 펠리클의 검사 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL G01N 21/84 (2016.04.28) G01N 21/88 (2016.04.28) G01N 21/33 (2016.04.28)
CPC G01N 21/8422(2013.01) G01N 21/8422(2013.01) G01N 21/8422(2013.01) G01N 21/8422(2013.01)
출원번호/일자 1020160034688 (2016.03.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0110759 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우동곤 대한민국 서울특별시 성동구
2 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
3 홍성철 대한민국 서울 성동구
4 김정환 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0279806-03
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0348043-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0037495-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0186120-13
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0455994-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0567958-91
8 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0567883-65
9 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0567875-00
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0567959-36
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0511334-12
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0920431-89
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0920430-33
14 등록결정서
Decision to grant
2017.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0830835-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광원부가 다층 박막 거울에 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을 조사하고, 검출부가 상기 다층 박막 거울로부터 반사된 제1 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계;상기 다층 박막 거울 상에 펠리클(pellicle)을 배치하는 단계;상기 광원부가 상기 펠리클에 상기 EUV 광을 조사하고, 상기 검출부가 상기 펠리클을 투과한 후 상기 다층 박막 거울에 반사되어 상기 펠리클을 재투과하는 제2 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계; 및상기 제1 및 제2 EUV 광을 통해 상기 펠리클의 투과도를 산출하여 상기 펠리클의 불량 여부를 평가하는 단계를 포함하되,상기 펠리클을 상기 다층 박막 거울 상에 위치한 펠리클 스테이지(pellicle stage) 상에, 상기 다층 박막 거울과 이격 배치시켜, 상기 펠리클의 접촉으로 인한 상기 다층 박막 거울의 오염 및 손상을 최소화하는 펠리클의 검사 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 펠리클 스테이지는,상기 다층 박막 거울의 제1 및 제2 측면(sidewall) 상에 배치되고, 서로 마주보며, 제1 방향 및 상기 제1 방향에 직각이고 상기 제1 및 제2 측면의 법선 방향과 평행한 제2 방향으로 연장하며, 상기 제1 및 제2 방향에 직각인 제3 방향으로 이동 가능한 제1 및 제2 스테이지;상기 제1 스테이지의 상부면에서 상기 제2 스테이지를 향하여 상기 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 상기 펠리클과 직접 접촉(directly contact)하는 제1 및 제2 지지부; 및상기 제2 스테이지의 상부면에서 상기 제1 스테이지를 향하여 상기 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 상기 펠리클과 직접 접촉하는 제3 및 제4 지지부를 포함하는 펠리클의 검사 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지부들은 상기 제1 및 제2 스테이지 상에서 상기 제1 방향으로 이동되어, 상기 제1 및 제2 지지부들 사이의 간격 및 상기 제3 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되고, 상기 제1 내지 제4 지지부들은 상기 제1 및 제2 스테이지 상에서 상기 제2 방향으로 이동되어, 상기 제1 및 제3 지지부들 사이의 간격 및 상기 제2 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되는 것을 포함하는 펠리클의 검사 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 다층 박막 거울과 상기 펠리클 사이의 간격은, 상기 제1 및 제2 스테이지가 상기 제3 방향으로 이동되는 것에 따라 조절되고,상기 펠리클의 크기에 따라 상기 제1 및 제2 지지부들 사이의 간격, 상기 제3 및 제4 지지부들 사이의 간격, 상기 제1 및 제3 지지부들 사이의 간격, 및 상기 제2 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되는 것을 포함하는 펠리클의 검사 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 다층 박막 거울과 상기 펠리클 사이의 간격은, 0
6 6
제1 항에 있어서, 상기 EUV 광의 파장은 13
7 7
제1 항에 있어서,상기 다층 박막 거울 및 상기 펠리클에 조사되는 상기 EUV 광의 입사각은 6°인 것을 포함하는 펠리클의 검사 방법
8 8
펠리클에 EUV 광을 조사하기 위한 광원부;상기 펠리클을 투과한 상기 EUV 광을 반사시키는 다층 박막 거울; 및상기 다층 박막 거울로부터 반사된 후, 상기 펠리클을 재투과한 상기 EUV 광을 수집 및 측정하는 검출부를 포함하되,상기 다층 박막 거울 상에 상기 펠리클을 이격 배치하기 위해, 상기 펠리클을 지지하는 펠리클 스테이지를 포함하는 펠리클 검사 장치
9 9
제8 항에 있어서, 상기 펠리클 스테이지는,상기 다층 박막 거울의 제1 및 제2 측면(sidewall) 상에 배치되고, 서로 마주보며, 제1 방향 및 상기 제1 방향에 직각이고 상기 제1 및 제2 측면의 법선 방향과 평행한 제2 방향으로 연장하며, 상기 제1 및 제2 방향에 직각인 제3 방향으로 이동 가능한 제1 및 제2 스테이지;상기 제1 스테이지의 상부면에서 상기 제2 스테이지를 향하여 상기 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 상기 펠리클과 직접 접촉(directly contact)하는 제1 및 제2 지지부; 및상기 제2 스테이지의 상부면에서 상기 제1 스테이지를 향하여 상기 제2 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 상기 펠리클과 직접 접촉하는 제3 및 제4 지지부를 포함하는 펠리클 검사 장치
10 10
제9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 지지부들은 상기 제1 및 제2 스테이지 상에서 상기 제1 방향으로 이동되어, 상기 제1 및 제2 지지부들 사이의 간격 및 상기 제3 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되고, 상기 제1 내지 제4 지지부들은 상기 제1 및 제2 스테이지 상에서 상기 제2 방향으로 이동되어, 상기 제1 및 제3 지지부들 사이의 간격 및 상기 제2 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되는 것을 포함하는 펠리클 검사 장치
11 11
제10 항에 있어서, 상기 다층 박막 거울과 상기 펠리클 사이의 간격은, 상기 제1 및 제2 스테이지가 상기 제3 방향으로 이동되는 것에 따라 조절되고,상기 펠리클의 크기에 따라 상기 제1 및 제2 지지부들 사이의 간격, 상기 제3 및 제4 지지부들 사이의 간격, 상기 제1 및 제3 지지부들 사이의 간격, 및 상기 제2 및 제4 지지부들 사이의 간격이 조절되는 것을 포함하는 펠리클 검사 장치
12 12
제11 항에 있어서, 상기 다층 박막 거울과 상기 펠리클 사이의 간격은, 0
13 13
제8 항에 있어서, 상기 광원부로부터 상기 펠리클에 조사되는 상기 EUV 광의 파장은 13
14 14
제8 항에 있어서,상기 광원부로부터 상기 펠리클로 조사되는 상기 EUV 광의 경로, 및 상기 펠리클로부터 상기 검출부로 반사되는 상기 EUV 광의 경로에, 상기 EUV 광의 경로 조절을 위한 광학 렌즈를 더 포함하는 펠리클 검사 장치
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1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) EUV Scanning Lensless Imaging 및 UV line scanning을 이용한 EUV 펠리클 검사 기술 개발