| 1 |
1
절연층이 구비된 기판; 상기 절연층 상부에 구비된 씨드층(seed layer);상기 씨드층 상부에 구비된 열전 박막(thermoelectric thin film);상기 열전 박막 상부에 구비된 전극; 상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층; 및상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 포함하며,상기 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 이루어지고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물이며,상기 촉매층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질이 복합화된 복합체로 이루어지며, 상기 전극 및 상기 촉매층 사이에 열 전달을 위한 써멀구리스층(thermal grease layer)이 구비되어 있고,상기 써멀구리스층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 열전도성 물질을 포함하는 층인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서
|
| 2 |
2
절연층이 구비된 기판; 상기 절연층 상부에 구비된 씨드층(seed layer);상기 씨드층 상부에 구비된 P형 열전 박막(thermoelectric thin film);상기 씨드층 상부에 구비되어 있고 상기 P형 열전 박막과 이격되어 있는 N형 열전 박막;상기 P형 열전 박막 및 상기 N형 열전 박막 상부에 구비된 전극;상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층; 및상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 포함하며,상기 P형 열전 박막과 상기 N형 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 이루어지고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물이며,상기 P형 열전 박막과 상기 N형 열전 박막은 서로 다른 칼코지나이드로 이루어지고,상기 촉매층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질이 복합화된 복합체로 이루어지며, 상기 전극 및 상기 촉매층 사이에 열 전달을 위한 써멀구리스층(thermal grease layer)이 구비되어 있고,상기 써멀구리스층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 열전도성 물질을 포함하는 층인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판을 포함하고, 상기 절연층은 SiO2 산화막을 포함하며,상기 씨드층은 10∼1000㎚의 두께를 가지며, 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서
|
| 6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매층은 0
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 칼코지나이드는 BixSey(1
|
| 8 |
8
절연층이 구비되어 있는 기판을 준비하는 단계;상기 절연층 상부에 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계;습식 전해증착법을 이용하여 상기 씨드층 상부에 열전 박막(thermoelectric thin film)을 형성하는 단계;상기 열전 박막 상부에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 형성하는 단계; 및상기 전극 상부에 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 촉매층을 형성하는 단계 전에, 상기 전극 상부에 열 전달을 위한 써멀구리스층(thermal grease layer)을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 써멀구리스층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon), 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 열전도성 물질을 포함하는 층이며,상기 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 형성하고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물이며,상기 촉매층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질이 복합화된 복합체로 형성하는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
|
| 9 |
9
절연층이 구비되어 있는 기판을 준비하는 단계;상기 절연층 상부에 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계;습식 전해증착법을 이용하여 상기 씨드층 상부에 P형 열전 박막(thermoelectric thin film)과 N형 열전 박막을 이격되게 형성하는 단계;상기 P형 열전 박막 및 상기 N형 열전 박막 상부에 전극을 형성하는 단계; 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 형성하는 단계; 및상기 전극 상부에 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 촉매층을 형성하는 단계 전에, 상기 전극 상부에 열 전달을 위한 써멀구리스층(thermal grease layer)을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 써멀구리스층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon), 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 열전도성 물질을 포함하는 층이며,상기 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 형성하고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물이며,상기 P형 열전 박막과 상기 N형 열전 박막은 서로 다른 칼코지나이드로 이루어지고,상기 촉매층은 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 활성탄(active carbon) 및 카본블랙(carbon black)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질과 백금(Pt) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질이 복합화된 복합체로 형성하는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판을 포함하고, 상기 절연층은 SiO2 산화막을 포함하며,상기 씨드층은 10∼1000㎚의 두께를 가지며, 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서의 제조방법
|
| 13 |
13
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 촉매층은 0
|
| 14 |
14
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 칼코지나이드는 BixSey(1
|
