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비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법(Non-volatile memory device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2017015806
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 상기 비휘발성 메모리 소자는 가변 저항 물질을 포함하는 데이터 저장 부재 및 칼코게나이드계 물질을 포함하는 스위칭 부재를 포함할 수 있다. 상기 데이터 저장 부재와 상기 스위칭 부재는 전기적으로 서로 연결되어 있을 수 있다. 상기 칼코게나이드계 물질은 Te, Se 및 이들의 조합 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 칼코게나이드계 물질은 결정질상을 가질 수 있다. 상기 칼코게나이드계 물질은 약 2.1 eV 보다 큰 밴드갭을 가질 수 있다. 상기 상변화 메모리 소자는 다층 교차점 구조(multilayer cross-point structure)를 가질 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2016.05.05)
CPC H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01) H01L 45/141(2013.01)
출원번호/일자 1020160039797 (2016.03.31)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0112608 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울특별시 서대문구
2 나희도 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김영재 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0313891-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0091288-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0434458-35
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0803011-50
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0924450-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1046611-67
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1156948-39
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0168315-44
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1278898-72
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.22 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-1284606-54
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1284562-33
13 지정기간연장불승인서
Written Disapproval of Extension of Designated Period
2018.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0006203-73
14 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0005319-38
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0025307-59
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0286786-57
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0522780-18
18 법정기간연장승인서
2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0081820-62
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0620953-86
20 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0620992-56
21 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2018.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0106913-30
22 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0478345-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항 변화 물질을 포함하는 데이터 저장 부재; 상기 데이터 저장 부재에 전기적으로 연결된 것으로, 칼코게나이드계 물질을 포함하는 스위칭 부재; 및 상기 데이터 저장 부재 및 상기 스위칭 부재에 전기적 신호를 인가하기 위한 전극 구조체를 포함하며,상기 칼코게나이드계 물질은 Zn-Te, Zn-Se 및 Zn-Te-Se 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 입방정계 결정 구조를 가지면서 오보닉 문턱 스위칭(ovonic threshold switching) 특성을 나타내도록 2
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 물질은 Zn-Te, Zn-Se 및 Zn-Te-Se 중 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 저항 변화 물질은 Ge, Sb 및 Te 중 적어도 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전극 구조체는 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 데이터 저장 부재와 상기 스위칭 부재는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 직렬로 연결되도록 배치된 비휘발성 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 데이터 저장 부재와 상기 스위칭 부재 사이에 구비된 중간 전극을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
9 9
제 7 항에 있어서, 복수의 상기 제1 전극이 배선 형태를 갖고 서로 평행하게 배열되고, 상기 제1 전극들과 교차하도록, 복수의 상기 제2 전극이 배선 형태를 갖고 서로 평행하게 배열되며, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 상기 데이터 저장 부재 및 상기 스위칭 부재가 순차로 구비된 비휘발성 메모리 소자
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 데이터 저장 부재 및 상기 스위칭 부재 각각은 상기 복수의 제1 전극을 커버하는 층 구조를 갖거나, 또는,상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이의 교차점 각각에 패턴화된 적층 구조물이 구비되고, 상기 적층 구조물 각각은 상기 데이터 저장 부재 및 상기 스위칭 부재를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 데이터 저장 부재 및 상기 스위칭 부재는 각각 제1 데이터 저장 부재 및 제1 스위칭 부재고, 상기 비휘발성 메모리 소자는, 상기 제2 전극과 이격된 제3 전극; 및 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 구비된 제2 데이터 저장 부재 및 제2 스위칭 부재;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
가변 저항 물질을 포함하는 데이터 저장 부재를 형성하는 단계; 상기 데이터 저장 부재에 전기적으로 연결된 것으로, 칼코게나이드계 물질을 포함하는 스위칭 부재를 형성하는 단계; 및 상기 데이터 저장 부재 및 스위칭 부재 중 적어도 하나에 연결된 전극 구조체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 칼코게나이드계 물질은 Zn-Te, Zn-Se 및 Zn-Te-Se 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 입방정계 결정 구조를 가지면서 오보닉 문턱 스위칭(ovonic threshold switching) 특성을 나타내도록 2
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 칼코게나이드계 물질은 Zn-Te, Zn-Se 및 Zn-Te-Se 중 하나를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 스위칭 부재의 형성시, 상기 스위칭 부재가 형성되는 기판의 온도는 50℃ 이하이고,상기 스위칭 부재를 형성하는 단계 후, 상기 스위칭 부재를 120∼350℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 SK하이닉스(주) 산업기술혁신사업 테라비트급 3차원 ReRAM 원천 기술 개발