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메모리 장치에 대한 데이터 독출 동작에 있어서,상기 메모리 장치에서 선택 셀의 소정의 프로그램 상태를 독출 위하여, 상기 선택 셀의 워드 라인에 제 1 준비 레벨 및 제 1 타겟 레벨을 갖는 독출 전압을 인가하는 단계;상기 선택 셀과 인접하지 않고, 상기 선택 셀과 동일 스트링에 위치하는 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들 중 적어도 하나의 워드 라인에 제 2 준비 레벨 및 제 2 타겟 레벨을 갖는 제 1 독출 패스 전압을 인가하는 단계; 및상기 선택 셀과 인접하게 위치된 적어도 하나의 제 2 비선택 셀의 워드 라인에 제 3 타겟 레벨을 갖는 제 2 독출 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제 1항에 있어서,상기 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들 중 적어도 하나의 워드 라인에 상기 제 1 독출 패스 전압을 인가하는 단계는,상기 선택 셀의 워드 라인의 위치를 기반으로, 상기 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들 중 적어도 하나의 워드 라인에 선택적으로 상기 제 2 타겟 레벨을 갖는 상기 제 3 독출 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들에 상기 제 1 독출 패스 전압을 인가하는 단계는,제 1 구간에서 상기 제 1 독출 패스 전압을 시작 레벨에서 상기 제 2 준비 레벨로 셋업하고, 제 2 구간에서 상기 제 1 독출 패스 전압을 상기 제 2 준비 레벨에서 상기 제 2 타겟 레벨로 셋업하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제 3 항에 있어서,상기 선택 셀의 워드 라인에 상기 독출 전압을 인가하는 단계는,상기 제 1 구간에서 상기 독출 전압을 시작 레벨에서 상기 제 1 준비 레벨로 셋업하고, 상기제 2 구간에서 상기 독출 전압을 상기 제 1 준비 레벨에서 상기 제 1 타겟 레벨로 셋업하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 타겟 레벨과 상기 제 3 타겟 레벨은 크기가 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 독출 동작에 필요한 상기 독출 전압의 상기 제 1 타겟 레벨의 크기에 따라 상기 제 1 준비 레벨 및 상기 제 2 준비 레벨 중 적어도 하나의 크기가 가변되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 3 타겟 레벨의 크기는 상기 제 2 타겟 레벨의 크기보다 크거나 작은 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법
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메모리 장치에 대한 프로그램 검증 동작에 있어서,상기 비휘발성 메모리 장치의 선택 셀의 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하고, 비선택 셀의 워드 라인들에 프로그램 패스 전압을 인가하는 단계;상기 선택 셀의 프로그램 상태를 검증하기 위하여, 상기 선택 셀의 워드 라인에 제 1 준비 레벨 및 제 1 타겟 레벨을 갖는 검증 전압을 인가하는 단계;상기 비선택 셀의 워드 라인들 중 상기 선택 셀과 인접하지 않고, 상기 선택 셀과 동일 스트링에 위치하는 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들 중 적어도 하나의 워드 라인에 제 2 준비 레벨 및 제 2 타겟 레벨을 갖는 제 1 검증 패스 전압을 인가하는 단계; 및상기 비선택 셀의 워드 라인들 중 상기 셀과 인접하게 위치된 적어도 하나의 제 2 비선택 셀의 워드 라인에 제 3 타겟 레벨을 갖는 제 2 검증 패스 전압을 인가하는 단계를 포함하는 메모리 장치에 대한 검증 동작 방법
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제 8 항에 있어서,상기 검증 전압을 인가하는 단계는,상기 검증 전압의 시작 레벨에서 상기 제 1 준비 레벨로 상기 검증 전압을 셋업시키고, 상기 제 1 준비 레벨에서 상기 제 1 타겟 레벨로 상기 검증 전압을 셋업시키는 단계를 더 포함하고,상기 제 1 검증 패스 전압을 인가하는 단계는,상기 제 1 검증 패스 전압의 시작 레벨에서 상기 제 2 준비 레벨로 상기 제 1 검증 패스 전압을 셋업시키고, 상기 제 2 준비 레벨에서 상기 제 2 타겟 레벨로 상기 제 1 검증 패스 전압을 셋업시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 검증 동작 방법
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제 8 항에 있어서,검증의 대상이 되는 상기 선택 셀의 프로그램 상태를 기반으로, 상기 제 2 준비 레벨과 상기 제 2 타겟 레벨의 차이가 가변되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치에 대한 검증 동작 방법
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