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광전 변환층;상기 광전 변환층의 상부에 형성되고 광의 반사율을 최소화하는 반사 방지층;상기 반사 방지층의 상부에 형성되고 상기 광이 상기 광전 변환층에 전달되도록 가이드하는 가이드층; 및상기 가이드층 내의 상단에 매립되고 입사되는 광을 집광하는 제1 집광층;을 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 가이드층의 상부에 형성되고 특정 파장의 광을 투과시키는 컬러 필터층; 및상기 컬러 필터층의 상부에 형성되고 외부로부터 입사되는 광을 집광하는 제2 집광층;을 더 포함하는 이미지 센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 집광층은 상기 컬러 필터층보다 굴절율이 큰 매질로 구성된 이미지 센서
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제 2 항에 있어서,상기 컬러 필터층과 상기 제2 집광층 사이에 상기 컬러 필터층의 평탄화를 위한 평탄화층;을 더 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 집광층은 질화 규소(Si3N4)로 구성된 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 집광층은싱글 스텝(single step)의 구조를 가지는 디지털 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 집광층은측면이 더블 스텝(double step)의 구조를 가지는 디지털 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 집광층은측면이 인버스 더블 스텝(inverse double step)의 구조를 가지는 디지털 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 가이드층은 이산화규소(SiO2) 및 질화 규소(Si3N4) 중 적어도 하나로 구성된 이미지 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제1 집광층은 측면이 적어도 하나 이상의 스텝의 구조를 가지는 디지털 마이크로 렌즈를 포함하고, 상기 디지털 마이크로 렌즈의 폭과 두께는 입사 광량 대비 원하는 컬러 픽셀의 유효 영역 내에 흡수되는 광량의 비와 입사 광량 대비 원하지 않는 컬러 픽셀의 유효 영역 내에 흡수되는 광량의 비에 따라서 결정되는 이미지 센서
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입사하는 광을 일차적으로 집광하는 마이크로 렌즈;상기 마이크로 렌즈의 하부에 형성되어 특정 파장의 광을 투과시키는 컬러 필터;상기 컬러 필터의 하부에 형성되어 특정 파장의 광을 추가적으로 집광하는 디지털 마이크로 렌즈;상기 컬러 필터의 하부에 형성되어 상기 디지털 마이크로 렌즈를 상단에 매립하며 추가적으로 집광된 광을 가이드하는 가이드층;상기 가이드층의 하부에 형성되고 광의 반사율을 최소화하는 반사 방지층; 및상기 반사 방지층 하부에 형성되고 광을 흡수하여 전기적 신호로 변환하는 포토 다이오드;를 포함하는 이미지 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 디지털 마이크로 렌즈는상기 컬러 필터보다 큰 굴절율을 가지는 매질로 구성된 이미지 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 디지털 마이크로 렌즈는 질화 규소(Si3N4)로 구성되며, 상기 가이드층은 이산화규소(SiO2) 및 질화 규소(Si3N4) 중 적어도 하나로 구성된 이미지 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 디지털 마이크로 렌즈는 싱글 스텝(single step), 더블 스텝(double step) 및 인버스 더블 스텝(inverse double step) 의 구조 중 적어도 하나를 포함하는 이미지 센서
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제 11 항에 있어서, 상기 디지털 마이크로 렌즈의 폭과 두께는, 입사 광량 대비 원하는 컬러 픽셀의 유효 영역 내에 흡수되는 광량의 비와 입사 광량 대비 원하지 않는 컬러 픽셀의 유효 영역 내에 흡수되는 광량의 비에 따라서 결정되는 이미지 센서
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