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제1 기판, 상기 제1 기판 상에 형성된 GaN 계열의 버퍼층, 상기 GaN 계열의 버퍼층 상에 형성된 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에 형성된 p형 또는 n형 GaN층, 및 상기 p형 또는 n형 GaN층 상에 형성된 제1 전극을 구비하는 에피성장기판을 준비하는 단계;제2 기판, 및 상기 제2 기판 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 접합기판을 준비하는 단계;상기 접합기판과 상기 에피성장기판을 순차적으로 적층시켜 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 연결되도록 본딩하는 단계;상기 제1 기판을 제거한 후 상기 버퍼층을 제거하는 단계;상기 버퍼층이 제거된 후 개방된 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에서 중앙 영역을 노출시키도록 가장자리에서 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층과 직접적으로 접촉하는 상부 전극을 형성하는 단계; 및상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에서 상기 상부 전극을 노출시키도록 상기 중앙 영역에 단층 혹은 다층의 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층은 상기 반사 방지막으로부터 상기 p형 또는 n형 GaN층을 향해 순차적으로 낮아지는 Al의 농도를 가지고 상기 p형 또는 n형 GaN층 바로 위에서 동일한 도핑 타입을 가지고, 상기 상부 전극은 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층과 오믹 접촉을 이루고,상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층은 i-AlGaN 층에서 빛을 흡수하는, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 기판은 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것인, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판은 고분자 기판 또는 열전도도가 사파이어 기판의 열전도도보다 큰 방열기판인 것인, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 방열기판은 Si, Ge, Al, W, Cr, Ni, Cu 또는 이들의 합금; 비정질 AlN; 비정질 SiC; graphite; 또는 나노카본으로 이루어지는 것인, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 기판은 본딩용 접착층 또는 소자 보호층을 구비하는 것인, 질화갈륨계 광검출 소자의 제조방법
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제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 p형 또는 n형 GaN층, 상기 p형 또는 n형 GaN층 상에 형성된 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층, 및 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에 단층 혹은 다층의 반사방지막을 구비하는 광검출부와 기판 및 상기 기판 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 접합기판이 순차적으로 적층되어 접합한 형태이며,상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 연결되도록 접합한 구조이고,개방된 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 상에서 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층과 직접적으로 접촉하고 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층과 오믹 접촉을 이루는 상부 전극을 구비하면서,상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층은 AlXGa1-XN층이 순차 적층된 구조이며, x는 0003c#x≤1 이고,상기 AlXGa1-XN층의 X값은 상기 상부전극으로부터 상기 p형 또는 n형 GaN층으로 향할수록 순차적으로 낮아지고,상기 AlXGa1-XN층의 에너지 밴드갭은 상기 상부전극으로부터 상기 p형 또는 n형 GaN층으로 향할수록 감소되고,상기 p형 또는 n형 GaN층은 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층 바로 아래에서 동일한 도핑 타입을 가지고, 상기 p-i-n 또는 n-i-p 구조의 AlGaN층은 자외선 영역에 해당하는 에너지 밴드갭을 가지는, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 12항에 있어서,상기 기판은 고분자 기판 또는 열전도도가 사파이어 기판의 열전도도보다 큰 방열기판인 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 16항에 있어서,상기 고분자 기판은 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트 (Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이드(polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES), 폴리스타일렌 (Polystyrene, PS), 폴리프로필렌 (Polypropylene, PP), 폴리에틸렌 (Polyethylene, PE), 폴리염화비닐 (polyvinylchloride, PVC), 폴리아미드 (Polyamide, PA), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (Polybutyleneterephthalate, PBT), 폴리메틸메타크릴레이트 (Polymethyl methacrylate, PMMA) 및 폴리디메틸실록산 (Polydimethylsiloxane, PDMS)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 기판인 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 16항에 있어서,상기 방열기판은 Si, Ge, Al, W, Cr, Ni, Cu 또는 이들의 합금; 비정질 AlN; 비정질 SiC; graphite; 나노카본으로 이루어지는 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 16항에 있어서,상기 광검출부와 상기 접합기판 사이의 일부 영역에 소자 보호층을 추가로 구비하는, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 19항에 있어서,상기 소자 보호층은 SiO2, SiNx 및 Si3N4 로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 12항에 있어서,상기 반사방지막은 금속산화물, 불화물, 질화물 또는 황화물로 이루어진 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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제 12항에 있어서,상기 반사방지막이 다층으로 이루어진 경우 하층의 반사방지막 물질의 굴절률이 상층의 반사방지막 물질의 굴절률보다 크거나 같은 것인, 질화갈륨계 광검출 소자
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