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고분자 물질을 포함하는 베이스 수지; 상기 베이스 수지 내에 분산된 0
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제1 항에 있어서, 상기 탄소계 나노 필러는 탄소 나노 튜브, 그래핀, 나노 흑연(graphite nanoplatelet) 및 이들의 혼합물 중 하나를 포함하는 열 전도성 조성물
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3 |
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제2 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브는 단층 탄소 나노 튜브 또는 50층 이하의 다층 탄소 나노 튜브를 포함하는 열 전도성 조성물
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제2 항에 있어서, 상기 그래핀은 단층 그래핀 또는 50층 이하의 다층 그래핀을 포함하는 열 전도성 조성물
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제1 항에 있어서, 상기 질화-붕소 나노 입자의 직경은 1㎚ 내지 100㎚인 열 전도성 조성물
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제1 항에 있어서, 상기 질화-붕소 나노판의 두께는 1㎚ 내지 100㎚인 열 전도성 조성물
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7
제1 항에 있어서, 상기 질화-붕소 나노 튜브들의 직경은 1㎚ 내지 100㎚인 열 전도성 조성물
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8
적어도 하나의 전자 소자; 및 상기 전자 소자에서 발생한 열을 방출시키는 적어도 하나의 방열 부재를 포함하며, 상기 방열 부재는 고분자 물질을 포함하는 베이스 수지; 상기 베이스 수지 내에 분산된 0
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제8 항에 있어서, 상기 전자 소자는 복수 개 구비되고, 상기 방열 부재는 서로 인접하는 상기 전자 소자들 사이에 배치되는 전자 장치
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10
제8 항에 있어서, 상기 방열 부재는 상기 전자 소자의 외부 면 상에 배치되는 전자 장치
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11
제8 항에 있어서, 상기 탄소계 나노 필러는 탄소 나노 튜브, 그래핀, 나노 흑연(graphite nanoplatelet) 및 이들의 혼합물 중 하나를 포함하는 전자 장치
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