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이온전도성 고분자전해질막 캐스팅 과정 중 극성 용매의 상분리 향상 효과에 따른 이온채널의 크기가 조절된 이온전도성 고분자전해질막 및 이의 제조방법(Controlled size of ion channels in polymer electrolyte membranes by solvent polarity effect during coating processing)

  • 기술번호 : KST2017016001
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온전도성 고분자전해질막 캐스팅 과정 중 극성 양자성 용매의 상분리 향상 효과에 따른 이온채널의 크기 및 이온전도도를 조절하는 이온전도성 고분자전해질막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01M 8/1088 (2016.05.12) H01M 8/1039 (2016.05.12) H01M 8/1032 (2016.05.12) H01M 8/1069 (2016.05.12) H01M 8/1018 (2016.05.12)
CPC H01M 8/1088(2013.01) H01M 8/1088(2013.01) H01M 8/1088(2013.01) H01M 8/1088(2013.01) H01M 8/1088(2013.01) H01M 8/1088(2013.01)
출원번호/일자 1020160042906 (2016.04.07)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0115354 (2017.10.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180083277;
심사청구여부/일자 Y (2016.04.07)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희우 대한민국 서울특별시 마포구
2 김상우 대한민국 서울특별시 강남구
3 최승영 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 윤태웅 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0337746-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.07 수리 (Accepted) 9-1-2017-0010524-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0813988-56
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0072387-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0086491-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0086500-35
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0419168-37
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0707483-91
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0707673-69
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0707509-90
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0707502-71
14 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0116056-06
15 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2018.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0806878-66
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0128499-33
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0632412-70
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.10.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-1000183-95
19 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0160245-05
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0186154-46
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온전도성 비불소계 고분자 전해질 또는 이온전도성 불소계 고분자 전해질과 유기용매를 포함하는 용액에 친수성 용매를 소정 비율로 혼합하는 단계 ; 및상기 혼합된 용액을 기재상에 코팅하여 건조하는 단계를 포함하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법으로서,상기 불소계 고분자 전해질은 불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되고,상기 비불소계 고분자 전해질은 폴리 아릴렌계, 폴리에테른케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 어느 하나의 비불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
2 2
이온전도성 비불소계 또는 불소계 고분자 전해질과 제 1 친수성 용매의 혼합 용액에 제 2 친수성 용매를 소정 비율로 첨가하는 단계 ; 상기 혼합된 용액을 기재상에 코팅하여 건조하는 단계를 포함하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법으로서, 상기 제 1 친수성 용매와 제 2 친수성 용매는 같거나 서로 다른 용매이고,상기 불소계 고분자 전해질은 불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되고,상기 비불소계 고분자 전해질은 폴리 아릴렌계, 폴리에테른케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 어느 하나의 비불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 고분자 용해를 위한 용매로 쓰이는 극성 비양자성 용매이며, 상기 친수성 용매는 상기 유기용매에 비해 극성이 높은 극성 양자성 용매인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 유기용매는 N,N'-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc), N-메틸피롤리돈(N-methyl pyrrolidone, NMP), 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide, DMSO) 및 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나이고,상기 친수성 용매는 t-부탄올(t-butanol), n-프로판올(n-propanol), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 암모니아(ammonia), 아세트산(acetic acid), 물( water)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 불소계 고분자 전해질은 폴리테트라플루오르에틸렌(Polytetrafluoroethrylene, PTFE), 폴리비닐플루라이드 (Polyvinylfluoride, PVF), 폴리비닐리딘플루라이드 (Polyvinylidine fluoride, PVDF), 폴리에틸렌테트라플루오르에틸렌 (Polyethylenetetrafluoroethylene, ETFE)의 불소계 그룹 중 적어도 어느 하나인 불소계 고분자와 술폰산기 (SO3H), 아민기 (NH3), 인산기 (-PO3H2)의 친수성 양이온 교환 기능기 그룹 및 아민계 친수성 음이온 교환 기능기를 지닌 구조 중 적어도 어느 하나인 친수성 이온교환기능기가 결합된 구조인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
7 7
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 불소계 고분자 전해질은 나피온 (Nafion), 아퀴비온 (Aquivion), 플레미온 (Flemion), 고어 (Gore), 에이씨플렉스 (Aciplex), R-1030, Aciplex A-192 또는 Morgane ADP 인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
8 8
삭제
9 9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 비불소계 고분자 전해질은 술폰화된 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone (sPEEK)), 술폰화된 폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone (sPEK)), 술폰화된 폴리에테르술폰(sulfonated polyethersulfone (sPES)), 술폰화된 폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated polyarylethersulfone (sPAES))의 양이온 전도성 고분자막 또는 음이온 전도성 고분자막인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 유기용매 대비 친수성 용매를 1~100중량% 혼합하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하는 방법
11 11
제 1항 또는 제 2항에 따른 고분자 전해질막의 이온채널 크기를 조절하여 연료전지용 고분자 전해질막의 이온전도도를 상승시키는 방법
12 12
이온전도성 비불소계 고분자 전해질 또는 이온전도성 불소계 고분자 전해질과 유기용매를 포함하는 용액에 친수성 용매를 소정 비율로 혼합하는 단계 ; 및상기 혼합된 용액을 기재상에 코팅하여 건조하는 단계를 포함하는 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법으로서, 상기 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법은 친수성 용매의 혼합 비율의 조절을 통해 상기 이온전도성 고분자 전해질막의 이온 채널의 크기를 제어하고, 상기 불소계 고분자 전해질은 불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되고,상기 비불소계 고분자 전해질은 폴리 아릴렌계, 폴리에테른케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 어느 하나의 비불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되는 것을 특징으로 하는 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법
13 13
이온전도성 비불소계 또는 불소계 고분자 전해질과 제 1 친수성 용매의 혼합 용액에 제 2 친수성 용매를 소정 비율로 첨가하는 단계 ; 상기 혼합된 용액을 기재상에 코팅하여 건조하는 단계를 포함하는 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법으로서, 상기 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법은 친수성 용매의 혼합 비율의 조절을 통해 상기 이온전도성 고분자 전해질막의 이온 채널의 크기를 제어하고,상기 제 1 친수성 용매와 제 2 친수성 용매는 같거나 서로 다른 용매이고,상기 불소계 고분자 전해질은 불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되고,상기 비불소계 고분자 전해질은 폴리 아릴렌계, 폴리에테른케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 어느 하나의 비불소계 고분자에 아민계 친수성 음이온 교환 기능기가 결합되거나, 술폰산기(SO3H), 아민기(NH3) 및 인산기(-PO3H2) 중 어느 하나 이상의 친수성 양이온 교환 기능기가 결합되는 것을 특징으로 하는 이온전도성 고분자 전해질막 제조방법
14 14
제 12항 또는 제 13항에 따른 방법으로 제조된 이온전도성 고분자 전해질막으로서, 이온전도성 고분자 전해질막의 이온 채널의 크기가 친수성 용매를 포함하지 않은 고분자 전해질막에 비해 확장된 이온전도성 고분자 전해질막
15 15
제 14항에 있어서, 이온전도성 고분자 전해질막의 이온 채널의 크기가 극성용매 효과를 지니지 않는 고분자 전해질막에 비해 150%까지 증가한 것을 특징으로 하는 이온전도성 고분자 전해질막
16 16
제 14항의 전도성 고분자 전해질막을 포함하는 고분자 연료전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109121441 CN 중국 FAMILY
2 KR1020180100079 KR 대한민국 FAMILY
3 US10797334 US 미국 FAMILY
4 US20190123373 US 미국 FAMILY
5 WO2017175959 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN109121441 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2019123373 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2017175959 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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