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제 1 무기 나노시트, 제 2 무기 나노시트, 및 그래핀이 재적층되어 형성된 층상 구조를 포함하는,층상 무기 나노시트-그래핀 복합체로서,상기 제 1 무기 나노시트는 Zn, Mo, Sn, Cd, W, Pb, Bi, Zr, Nb, Ge, Ga, In, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 디칼코게나이드 나노시트를 포함하는 것이고, 상기 제 2 무기 나노시트는 Ti, Ru, Co, Cu, Zn, Mn, Mo, V, Ni, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 나노시트를 포함하는 것인, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀의 100 중량부에 대하여 상기 제 2 무기 나노시트를 0
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제 1 무기 나노시트 및 제 2 무기 나노시트를 박리하는 단계;상기 박리된 제 1 무기 나노시트, 상기 박리된 제 2 무기 나노시트, 및 그래핀을 혼합하는 단계; 및상기 혼합물에 양이온-함유 용액을 첨가함으로써 상기 박리된 제 1 무기 나노시트, 상기 박리된 제 2 무기 나노시트, 및 상기 그래핀이 재적층된 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체를 수득하는 단계를 포함하는, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 제조 방법으로서,상기 제 1 무기 나노시트는 Zn, Mo, Sn, Cd, W, Pb, Bi, Zr, Nb, Ge, Ga, In, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 디칼코게나이드 나노시트를 포함하는 것이고, 상기 제 2 무기 나노시트는 Ti, Ru, Co, Cu, Zn, Mn, Mo, V, Ni, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 나노시트를 포함하는 것인, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체는 상기 제 1 무기 나노시트, 상기 제 2 무기 나노시트, 및 상기 그래핀의 음전하와 양이온-함유 용액의 양전하의 반응에 의해 재적층되는 것인, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 반응은 상온에서 수행되는 것인, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 양이온-함유 용액은 Na+, H+, Li+, Mg2+, 또는 Ca2+ 양이온을 포함하는 것인, 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체의 100 중량부에 대하여 상기 제 2 무기 나노시트를 0
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제 1 항 또는 제 3 항에 따른 층상 무기 나노시트-그래핀 복합체를 포함하는, 나트륨 이온 전지
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