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니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나, 리튬, 및 첨가 금속을 포함하되, 상기 첨가 금속은, 니켈, 코발트, 망간, 및 알루미늄과 다른 원소를 포함하고, 상기 첨가 금속의 함량은 평균 2mol% 미만이고, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나는 입자 내부에서 농도가 변화되는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나는 상기 입자 전체에서 농도 구배를 갖는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 첨가 금속은 입자 전체에서 일정한 농도를 갖는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 입자는, 코어부, 및 상기 코어부를 둘러싸는 쉘부를 포함하되, 상기 코어부 및 상기 쉘부 중에서 어느 하나에서, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나가 농도 구배를 갖고, 상기 코어부 및 상기 쉘부 중에서 다른 하나는, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나의 농도가 일정한 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나는 상기 입자 내부에서 농도 구배가 변화되는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 결정계(crystal system)가 서로 다른 제1 결정 구조 및 제2 결정 구조를 포함하고, 상기 첨가 금속의 함량에 따라서, 상기 제1 결정 구조 및 상기 제2 결정 구조의 비율이 조절되는 것을 포함하는 양극활물질
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제5 항에 있어서, 상기 제1 결정 구조는 입방정계(cubic) 결정 구조이고, 상기 제2 결정 구조는 삼방정계(trigonal 또는 rhombohedral) 결정 구조이고, 상기 첨가 금속의 함량이 증가할수록, 상기 제1 결정 구조가 증가되는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 첨가 금속은, 텅스텐, 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄탈륨, 티타늄, 루비듐, 비스무트, 마그네슘, 아연, 갈륨, 바나듐, 크롬, 칼슘, 스트론튬, 또는 주석 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 양극활물질
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결정계가 서로 다른 제1 결정 구조 및 제2 결정 구조를 포함하되, 상기 제1 결정 구조의 비율이 상기 제2 결정 구조의 비율보다 높은 제1 부분, 및 상기 제2 결정 구조의 비율이 상기 제1 결정 구조의 비율보다 높은 제2 부분을 포함하고, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나, 리튬, 및 첨가 금속을 포함하되, 상기 첨가 금속은, 니켈, 코발트, 망간, 및 알루미늄과 다른 원소를 포함하고, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나는 입자 내부에서 농도가 변화되는 것을 포함하는 양극활물질
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제9 항에 있어서, 상기 제1 부분은, 상기 제2 부분의 적어도 일부를 둘러싸는 것을 포함하는 양극활물질
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제9 항에 있어서, 포함하는 1차 입자들; 및상기 1차 입자들이 응집된 2차 입자를 포함하되,상기 1차 입자들 중에서, 적어도 어느 하나는, 상기 제1 결정 구조 및 상기 제2 결정 구조를 동시에 포함하는 양극활물질
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제11 항에 있어서, 상기 제1 결정 구조 미 상기 제2 결정 구조를 동시에 포함하는 상기 1차 입자는, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분의 경계에 제공되는 것을 포함하는 양극활물질
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니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 베이스 수용액, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나의 농도가 상기 제1 베이스 수용액과 다른 제2 베이스 수용액, 및 첨가 금속을 포함하는 첨가 수용액을 준비하는 단계;상기 제1 베이스 수용액, 상기 제2 베이스 수용액, 및 상기 첨가 수용액을 반응기에 제공하되, 상기 제1 베이스 수용액 및 상기 제2 베이스 수용액의 비율을 조절하여, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 수산화물에 상기 첨가 금속이 도핑된, 양극활물질 전구체를 제조하는 단계; 및상기 양극활물질 전구체 및 리튬염을 소성하여, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나 및 리튬를 포함하는 금속 산화물에 상기 첨가 금속이 2mol% 미만으로 도핑된 양극활물질을 제조하는 단계를 포함하되, 상기 양극활물질 전구체는, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나의 농도가 입자 내부에서 변화되는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 첨가 금속의 도핑 농도에 따라서, 상기 양극활물질 전구체 및 상기 리튬염의 소성 온도를 조절하는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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