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복수의 셀 스트링들을 포함하고, 각 셀 스트링은 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법에 있어서,상기 복수의 메모리 셀들에 연결된 워드라인들 중 비선택된 워드라인들로 제1 구간 동안 제1 패스 전압을 인가하고, 제2 구간 동안 상기 제1 패스 전압보다 높은 제2 패스 전압을 순차적으로 인가하는 단계; 및상기 복수의 메모리 셀들에 연결된 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 상기 제1 구간 동안 프로그램 전압을 인가한 후 상기 프로그램 전압보다 낮은 디스차아지 전압을 인가하고, 상기 제2 구간 동안 상기 프로그램 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 워드라인으로 인가되는 상기 디스차아지 전압을 인가하는 단계에서, 상기 프로그램 전압의 레벨에 따라 상기 디스차아지 전압이 인가되는 구간이 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제2항에 있어서,상기 프로그램 전압의 레벨이 증가할 때, 상기 디스차아지 전압이 인가되는 구간이 길어지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 워드라인으로 인가되는 상기 디스차아지 전압을 인가하는 단계에서, 상기 프로그램 전압의 레벨에 따라 상기 디스차아지 전압이 인가되는 시점이 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제4항에 있어서,상기 프로그램 전압의 레벨이 증가할 때, 상기 디스차아지 전압이 인가되는 시점이 빨라지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제1항에 있어서,상기 선택된 워드라인으로 인가되는 상기 디스차아지 전압을 인가하는 단계에서, 상기 프로그램 전압의 레벨에 따라 상기 디스차아지 전압의 레벨이 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제6항에 있어서,상기 프로그램 전압의 레벨이 증가할 때, 상기 디스차아지 전압의 레벨이 높아지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제1항에 있어서,상기 비선택된 워드라인들로 상기 제2 구간 동안 상기 제2 패스 전압을 인가하는 단계에서, 상기 프로그램 전압의 레벨에 따라 상기 제2 패스 전압의 레벨이 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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제8항에 있어서,상기 프로그램 전압의 레벨이 증가할 때, 상기 제2 패스 전압의 레벨이 높아지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
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복수의 셀 스트링들을 포함하고, 각 셀 스트링은 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이;워드라인들을 통해 상기 복수의 셀 스트링들의 상기 복수의 메모리 셀들과 연결되고, 스트링 선택 라인을 통해 상기 복수의 셀 스트링들의 스트링 선택 트랜지스터들과 연결되고, 그라운드 선택 라인을 통해 상기 복수의 셀 스트링들의 그라운드 선택 트랜지스터들과 연결되는 어드레스 디코더; 및프로그램 동작에서, 상기 워드라인들 중 비선택된 워드라인들로 제1 구간 동안 제1 패스 전압이 인가되고 제2 구간 동안 상기 제1 패스 전압보다 높은 제2 패스 전압이 인가되고, 상기 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 상기 제1 구간 동안 프로그램 전압이 인가된 후 상기 프로그램 전압보다 낮은 디스차아지 전압이 인가되고 상기 제2 구간 동안 상기 프로그램 전압이 인가되도록 제어하는 프로그램 컨트롤 로직부를 포함하는 불휘발성 메모리 장치
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