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그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법, 그에 의한 표면처리된 그래핀 기판 및 표면처리된 그래핀 기판을 포함하는 전자소자(SURFACE TREATMENT METHOD FOR DEPOSITION ACTIVATION OF DIELECTRIC THIN FILM ON GRAPHENE, SURFACE TREATED GRAPHENE SUBSTRATE BY THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SURFACE TREATED GRAPHENE SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2017016104
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법, 그에 의한 표면처리된 그래핀 기판 및 표면처리된 그래핀 기판을 포함하는 전자소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법은, 비활성 그래핀 상에 유기물질을 형성하여 표면처리하는 단계; 및 상기 유기물질 상에 유전박막을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 29/16 (2016.05.10) C01B 31/04 (2016.05.10) C23C 14/12 (2016.05.10) C25B 3/00 (2016.05.10) C23C 16/455 (2016.05.10) H01L 21/3105 (2016.05.10) H01L 21/02 (2016.05.10)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020160040900 (2016.04.04)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0114339 (2017.10.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백재윤 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 강세준 대한민국 충청남도 천안시 동남구
3 신현준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0321671-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0063267-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0312085-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0561590-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0561591-09
7 등록결정서
Decision to grant
2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0833367-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀의 적어도 일부분 상에 유기물질을 형성하여 표면처리하는 단계; 및상기 유기물질 상에 유전박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 유기물질은, 테트라(4-카르복시페닐)포르핀(tetra(4-carboxy phenyl)porphine; TCPP), 테트라페닐포르핀설포네이트(tetraphenylporphinesulfonate; TPPS), 테트라포르펜(4,N-메틸피리딜)(tetraporphen(4,N-methylpyridil); TMPP), 프로토포르피린 IX(protoporphyrin IX), 헤마토포르피린 유도체(hematoporphyrine derivative), 포토프린(photofrin) 및 포토프린 II(photofrin II)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 유전박막은, 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 유기물질의 형성은, 물리기상증착(physical vapor deposition; PVD), 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD), 정전 스프레이 증착(electrostatic spray deposition), 기상합성, 스핀코팅, 전기분해 및 스프레이 코팅으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 방법에 의한 것인, 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 유기물질을 형성하여 표면처리하는 단계는, 상기 유기물질을 패터닝하여 비활성 그래핀 상에 상기 유기물질을 선택적으로 형성하는 단계를 포함하는 것인, 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 유전박막을 형성하는 단계는, 원자층증착(atomic layer deposition; ALD) 방법에 의한 것인, 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 원자층증착(atomic layer deposition; ALD) 방법에 의한 유전박막을 형성하는 단계는, 챔버 내에, 유기물질로 표면처리된 그래핀과, 금속-함유 전구체를 공급하는 단계; 및상기 챔버 내로 산소 소스를 공급하는 단계; 를 포함하는 것인, 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 산소 소스는, O2, H2O, O2 플라즈마 및 O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 그래핀 상 유전박막 증착 활성화를 위한 표면처리 방법
7 7
그래핀; 상기 그래핀의 적어도 일부분 상에 형성된 유기물질; 및상기 유기물질 상에 형성된 유전박막;을 포함하고, 상기 유기물질은, 테트라(4-카르복시페닐)포르핀(tetra(4-carboxy phenyl)porphine; TCPP), 테트라페닐포르핀설포네이트(tetraphenylporphinesulfonate; TPPS), 테트라포르펜(4,N-메틸피리딜)(tetraporphen(4,N-methylpyridil); TMPP), 프로토포르피린 IX(protoporphyrin IX), 헤마토포르피린 유도체(hematoporphyrine derivative), 포토프린(photofrin) 및 포토프린 II(photofrin II)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 유전박막은, 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화지르코늄(ZrO2) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,표면처리된 그래핀 기판
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삭제
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삭제
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삭제
11 11
제7항에 있어서,상기 표면처리된 그래핀 기판의 표면 거칠기(RMS)는, 0
12 12
제7항 또는 제11항에 따른 표면처리된 그래핀 기판을 포함하는 전자 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 전자 소자는 유기전계효과 트랜지스터(OFET), 유기 박막 트랜지스터(OTFT), 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 발광 트랜지스터(OLET), 유기 광전변환 장치(OPV), 유기 광검출기(OPD), 유기 태양 전지, 유기 메모리 소자, 터치 패널, 열전 장치(thermoelectric device), 레이저 다이오드, 쇼트키(Schottky) 다이오드, 광전도체, 광검출기, 바이오 센서, 바이오칩 및 가스 센서로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 포항공과대학교 산학협력단 이공분야 기초연구 사업(일반연구자 지원 사업) 원자적층법을 위한 그래핀 나노시트 표면의 기능화 연구와 그 응용
2 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 원자력 연구개발사업 X-선을 이용한 무전극 전하주입 분석법 개발