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광 다이오드 및 이를 포함하는 광전 소자(Photodiode and photoelectronic device comprising the same)

  • 기술번호 : KST2017016164
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 다이오드 및 이를 포함하는 광전 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 광 다이오드는 기사광선 영역에 대해 무흡광성을 갖는 n형 반도체와, 녹색광 선택성 p형 반도체 소재를 평면이종접합하는 간단한 방법으로 암전류 발생을 저하시키고, 색 선택성이 우수한 광 다이오드를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2016.05.11) H01L 33/02 (2016.05.11) H01L 31/12 (2016.05.11)
CPC H01L 33/0008(2013.01)H01L 33/0008(2013.01)H01L 33/0008(2013.01)H01L 33/0008(2013.01)H01L 33/0008(2013.01)H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020160043458 (2016.04.08)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0116291 (2017.10.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정대성 대한민국 서울특별시 동작구
2 윤성원 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0341382-24
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0438095-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0058436-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0274869-88
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0581170-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0685901-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0685902-80
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0531485-66
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1137474-10
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1312189-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 작용기를 가진 금속 산화물을 포함하는 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층의 일면에 형성되고, 500 내지 580 nm의 파장 영역에서 최대 흡수 피크를 갖는 p형 반도체층을 포함하며,상기 n형 반도체층의 밴드갭은 3 eV 이상인 광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,금속 산화물은 ZnO, SnO, TiO2, 및 ZrO2 중 1 종 이상을 포함하는 광 다이오드
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,p형 반도체층은 폴리이미노페릴렌(Polyiminoperylene), 폴리티오펜(Polythiophene), 폴리티에노피롤다이온(Polythienopyrroledione), 벤조시아디아졸(Benzothiadiazole) 및 벤조디티오펜(Benzodithiophene)중 1 종 이상을 포함하는 광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 1 층 이상은, 첨가제를 더 포함하며,상기 첨가제는 1,8-디요오도옥탄(1,8-diiodooctane, DIO), 1,8-디클로로옥탄(1,8-dichlorooctane, DCO), 1,8-옥탄디티올(1,8-octanedithiol, ODT), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol, TEG), 1,8-디브로모옥탄(1,8-dibromooctane, DBO), 1,4-디요오도부탄(1,4-diiodobutane, DIB), 1,6-디요오도헥산(1,6-diiodohexane, DIH), 헥사데칸(hexadecane), 디에틸렌글리콜디부틸에테르(diethylene glycol dibutly ether), 1-클로로나프탈렌(1-chloronaphthalene, CN), 니트로벤젠(nitrobenzene), 4-브로모아니솔(4-bromoanisole), N-메틸-2-피롤리딘(N-methyl-2-pyrrolidone), 3-메틸티오펜(3-methylthiophene), 3-헥실티오펜(3-hexylthiophene), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 1-메틸나프탈렌(1-methylnaphthalene), 디페닐에테르(diphenylether) 및 스쿠아레인(squaraine) 중 1 종 이상을 포함하는 광 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서,p형 반도체층가 갖는 최대 흡수 피크의 반치폭은 100 내지 130 nm 범위인 광 다이오드
7 7
제 1 항에 있어서,전자차단층 및 정공차단층 중 하나 이상을 더 포함하는 광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서,평균 두께가 100 내지 500 nm 범위인 광 다이오드
9 9
제 1 항에 따른 광 다이오드를 포함하는 광전 소자
10 10
제 9 항에 있어서,-5 V 조건에서 암전류는 30 nA/cm2 이하인 광전 소자
11 11
제 9 항에 있어서,촬상 장치용인 광전 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (재)대구경북과학기술원 산업핵심기술개발사업 디스플레이 적용을 위한 컬러필터 배재형 광다이오드의 개발