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니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나, 리튬, 및 첨가 금속을 포함하되, 상기 첨가 금속은, 니켈, 코발트, 망간, 및 알루미늄과 다른 원소를 포함하고, 상기 첨가 금속의 함량은 평균 2mol% 미만인 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 첨가 금속은 입자 전체에서 일정한 농도를 갖는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 결정계(crystal system)가 서로 다른 제1 결정 구조 및 제2 결정 구조를 포함하는 양극활물질
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제3 항에 있어서, 상기 첨가 금속의 함량에 따라서, 상기 제1 결정 구조 및 상기 제2 결정 구조의 비율이 조절되는 것을 포함하는 양극활물질
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5
제4 항에 있어서, 상기 제1 결정 구조는 입방정계(cubic) 결정 구조이고, 상기 제2 결정 구조는 삼방정계(trigonal 또는 rhombohedral) 결정 구조이고, 상기 첨가 금속의 함량이 증가할수록, 상기 제1 결정 구조가 증가되는 것을 포함하는 양극활물질
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6
제3 항에 있어서, 입자 표면에서, 상기 제1 결정 구조의 비율이 상기 제2 결정 구조의 비율보다 높고, 상기 입자 중심에서, 상기 제2 결정 구조의 비율이 상기 제1 결정 구조의 비율보다 높은 것을 포함하는 양극활물질
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아래의 003c#화학식 1003e#로 표시되는 양극활물질
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제7 항에 있어서, 상기 003c#화학식 1003e#에서 M4는, 텅스텐, 몰리브덴, 지르코늄, 니오븀, 탄탈륨, 티타늄, 루비듐, 비스무트, 마그네슘, 아연, 갈륨, 바나듐, 크롬, 칼슘, 스트론튬, 또는 주석 중에서 어느 하나를 포함하는 양극활물질
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제7 항에 있어서, 상기 003c#화학식 1003e#에서 d 값에 따라서, 결정 구조가 제어되고, 충방전 과정에서 플루오린의 침투량이 제어되는 양극활물질
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10
니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 베이스 수용액, 및 첨가 금속을 포함하는 첨가 수용액을 준비하는 단계;상기 베이스 수용액 및 상기 첨가 수용액을 반응기에 제공하여, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 수산화물에 상기 첨가 금속이 도핑된, 양극활물질 전구체를 제조하는 단계; 및상기 양극활물질 전구체 및 리튬염을 소성하여, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나 및 리튬를 포함하는 금속 산화물에 상기 첨가 금속이 2mol% 미만으로 도핑된 양극활물질을 제조하는 단계를 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 첨가 금속의 도핑 농도에 따라서, 상기 양극활물질 전구체 및 상기 리튬염의 소성 온도를 조절하는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 첨가 금속의 도핑 농도가 증가할수록, 상기 양극활물질 전구체 및 상기 리튬염의 소성 온도가 증가되는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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13
제10 항에 있어서, 상기 첨가 금속의 도핑 농도는, 상기 첨가 수용액 내의 상기 첨가 금속의 농도에 의해 조절되는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 첨가 수용액에 의해, 상기 양극활물질 전구체를 제조하는 단계에서, 상기 반응기 내의 pH가 조절되는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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