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하부 전극(Bottom electrode)을 포함하는 기판(Substrate);상기 기판 상에 형성되는 절연층(insulator layer);상기 절연층 상에 형성되는 활성층(Active layer);상기 활성층 상에 형성되는 전자수송층(Electron Transport Layer); 및상기 전자수송층 상에 형성되는 상부 전극(Top electrode)을 포함하되, 상기 기판은 N형(N-type)으로 도핑된(doped) 규소(Si) 기판이고, 상기 규소 기판에서 열산화(thermal oxidation) 공정을 통해 SiO2를 성장시키는 방식으로 절연층이 형성되고, 상기 활성층은 IZO(Indium-Zinc Oxide)이고, 상기 전자수송층은 [2-(4-T-BUTYLPHENYL)-5-(4-BIPHENYLYL)-1,3](이하, 'PBD'라 함)이며, 상기 상부 전극은 알루미늄(Al)이고, 상기 활성층은 [In(NO3)3·xH2O]와 [Zn(CH3COO)2·2H2O]의 시약을 사용하여 용액 공정 기반으로 IZO 박막을 제조하는 방식으로 형성되며, 상기 전자수송층은 상기 IZO 박막 위에 PBD를 증착하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극은 금속 증발기(metal evaporator)를 이용하여 알루미늄 펠릿(pellet)을 진공 증착하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 하부 전극은 게이트(Gate) 전극으로 사용되고, 상기 상부 전극은 2개로 구성되어, 각각 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터
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하부 전극(Bottom electrode)을 포함하는 기판(Substrate)을 제작하는 단계; 상기 기판 상에 절연층(insulator layer)을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 활성층(Active layer)을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 전자수송층(Electron Transport Layer)을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 상부 전극(Top electrode)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 기판을 제작하는 단계에서, 상기 기판은 N형(N-type)으로 도핑된(doped) 규소(Si) 기판이고, 상기 절연층을 형성하는 단계에서, 상기 규소 기판에서 열산화(thermal oxidation) 공정을 통해 SiO2를 성장시키는 방식으로 절연층이 형성되고, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 활성층은 IZO(Indium-Zinc Oxide)이고, 상기 전자수송층을 형성하는 단계에서, 상기 전자수송층은 [2-(4-T-BUTYLPHENYL)-5-(4-BIPHENYLYL)-1,3](이하, 'PBD'라 함)이고, 상기 상부 전극을 형성하는 단계에서, 상기 상부 전극은 알루미늄(Al)이고, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 활성층은 [In(NO3)3·xH2O]와 [Zn(CH3COO)2·2H2O]의 시약을 사용하여 용액 공정 기반으로 IZO 박막을 제조하는 방식으로 형성되며, 상기 전자수송층을 형성하는 단계에서, 상기 전자수송층은 상기 IZO 박막 위에 PBD를 증착하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 상부 전극을 형성하는 단계에서,상기 상부 전극은 금속 증발기(metal evaporator)를 이용하여 알루미늄 펠릿(pellet)을 진공 증착하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 하부 전극은 게이트(Gate) 전극으로 사용되고, 상기 상부 전극은 2개로 구성되어, 각각 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 기반의 트랜지스터 제조 방법
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