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철(Fe)와 팔라듐(Pd)의 합금을 포함하는 FePd 합금층;상기 합금층 상의 MgO의 터널링 장벽층; 및상기 FePd 합금층과 상기 터널링 장벽층 사이의 호이슬러 합금층을 포함하며,상기 FePd 합금층의 우선 배향 결정축과 상기 호이슬러 합금층의 우선 배향 결정축은 45°의 각도 차이를 갖거나,상기 호이슬러 합금층은 상기 FePd 합금층과의 격자 불일치도가 4 % 이하이거나,상기 호이슬러 합금층은 B2 또는 L21 구조를 갖는 다층 자기 박막 스택
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제 1 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층은, 코발트(Co)를 기본으로 하는 Co2YZ (Y는 전이 금속이며, Z는 전형 원소임)의 화학식을 갖는 합금을 포함하는 다층 자기 박막 스택
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제 3 항에 있어서,상기 전이 금속 Y는, 망간(Mn), 철(Fe) 및 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 전형 원소 Z는, 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 저머늄(Ge) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 자기 박막 스택
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제 1 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층은 Co2MnSi를 포함하는 다층 자기 박막 스택
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제 1 항에 있어서, 상기 FePd 합금층은 L10 구조를 갖는 다층 자기 박막 스택
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제 1 항에 있어서,상기 FePd 합금층의 두께는 3 nm 내지 10 nm의 범위 내인 다층 자기 박막 스택
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제 9 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층과 접하는 상기 FePd 합금층의 일면과 반대되는 타면 상에 기판이 제공되는 다층 자기 박막 스택
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제 11 항에 있어서,상기 기판은 밀러 지수 (001)의 텍스쳐 또는 (001) 우선 배향면을 갖는 단결정질 또는 다결정질의 재료를 포함하는 다층 자기 박막 스택
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제 12 항에 있어서,상기 기판은 MgO (001)의 기저 박막을 포함하는 다층 자기 박막 스택
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터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합으로서,상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 수직 자화 용이 축을 갖는 L10 구조의 철(Fe)와 팔라듐(Pd)의 FePd 합금층; 및 상기 FePd 합금층과 상기 터널링 장벽층 사이에 배치되는 호이슬러 합금층을 포함하는 하이브리드 자성층을 포함하며,상기 FePd 합금층의 우선 배향 결정축과 상기 호이슬러 합금층의 우선 배향 결정축은 45°의 각도 차이를 갖거나,상기 호이슬러 합금층은 상기 FePd 합금층과의 격자 불일치도가 4 % 이하이거나,상기 호이슬러 합금층은 B2 또는 L21 구조를 갖는 자기 터널링 접합
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제 14 항에 있어서,상기 터널링 장벽층은, Al2O3, MgO, TiO2, AlN, RuO, SrO, SiN, CaOx, HfO2, Ta2O5, ZrO2, SiC, SiO2, SiOxNy, 또는 이들 중 2 이상의 적층 박막을 포함하는 자기 터널링 접합
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제 14 항에 있어서,상기 자기 고정층 또는 자기 자유층은 하이브리드 자성층과 자기적 결합이 가능한 반강자성층을 포함하는 자기 터널링 접합
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제 14 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층은, 코발트(Co)를 기본으로 하는 Co2YZ (Y는 전이 금속이며, Z는 전형 원소임)의 화학식을 갖는 합금을 포함하는 자기 터널링 접합
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제 18 항에 있어서,상기 전이 금속 Y는, 망간(Mn), 철(Fe) 및 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 전형 원소 Z는, 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 저머늄(Ge) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 자기 터널링 접합
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제 14 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층은 Co2MnSi를 포함하는 자기 터널링 접합
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제 14 항에 있어서,상기 FePd 합금층의 두께는 3 nm 내지 10 nm의 범위 내인 자기 터널링 접합
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제 23 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층의 두께는 0
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제 14 항에 있어서,상기 호이슬러 합금층과 접하는 상기 FePd 합금층의 일면과 반대되는 타면 상에 기판이 제공되는 자기 터널링 접합
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제 25 항에 있어서,상기 기판은 밀러 지수 (001)의 텍스쳐 또는 (001) 우선 배향면을 갖는 단결정질 또는 다결정질의 재료를 포함하는 자기 터널링 접합
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제 25 항에 있어서,상기 기판은 MgO (001)의 기저 박막을 포함하는 자기 터널링 접합
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정보 저장 요소로서 제 14항 기재의 자기 터널링 접합을 포함하는 메모리 셀을 포함하는 데이터 저장 장치
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