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(a) 일면에 전기전도막이 코팅된 기판을 물에 넣는 단계; 및(b) 상기 기판의 전기전도막 부분에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항에서,상기 (a)단계는 상기 기판을 흐르는 물에 넣는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도막은 세라믹계, 세라믹합금계, 도핑계, 금속계, 유기계 및 유기하이브리드계 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항에서,상기 전기전도성막은 투명전도막(TCO, Transparent Conductive Oxide)인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항에서,상기 투명전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), ZnO(Zinc oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항에서,상기 플라즈마 유도 에너지원은 레이저, 자외선 램프, 전자기파, 마이크로 웨이브, 방사선, 중성자, 감마선, IR열선, 전자빔, 전자기유도 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 기판은 빛 투과율 50% 이상의 투명판, 곡률반경 5m 이하로 휘어질 수 있는 유연판 및 두께 500㎛ 이하의 박판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 기판은 빛 투과율이 상기 전도전도막 보다 높은 두께 500㎛ 이하의 박판으로서,상기 (b)단계는 플라즈마 유도 에너지원을 상기 전기전도막 코팅면의 반대면을 통해 상기 전기전도막에 조사하는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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제8항에서,상기 (b)단계는 상기 기판의 하면에 플라즈마 유도 에너지원을 조사하되, 조사 각도가 상기 기판 하면과 수직기준으로 -30° 내지 30° 범위에서 가변될 수 있는 상태에서 조사하는 것을 특징으로 하는 수중 플라즈마 유도에 의한 전기전도막 식각 방법
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